求助bandgap电路在不同工艺角下的问题

cmos再爱我一次 · 发表于 2024-9-6 15:54:56

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求助：在设计bandgap时，发现不同工艺角下的输出电压差别很大，比如在tt状态下是抛物线，但是在ff状态下就是正温度系数的，在ss下又是负温度系数的，这个一般问题是出在哪里呢

JiahuiShen · 发表于 2024-9-6 16:22:48

差别有多大？多少ppm呢？如果差很大的话，一般要么启动电路有问题，要么DC状态管子进线性区了。100ppm以内一般就都还好

YyuanRTs · 发表于 2024-9-6 16:38:55

bjt的工艺角

cmos再爱我一次 · 发表于 2024-9-6 16:43:39

JiahuiShen 发表于 2024-9-6 16:22
差别有多大？多少ppm呢？如果差很大的话，一般要么启动电路有问题，要么DC状态管子进线性区了。100ppm以内 ...

如果tt下是2ppm的话，另外两个差不多50ppm吧，但是这个应该也很高了吧

cmos再爱我一次 · 发表于 2024-9-6 16:45:14

YyuanRTs 发表于 2024-9-6 16:38
bjt的工艺角

您好，您能详细说一下吗，谢谢您了

JiahuiShen · 发表于 2024-9-6 16:52:43

cmos再爱我一次发表于 2024-9-6 16:43
如果tt下是2ppm的话，另外两个差不多50ppm吧，但是这个应该也很高了吧

50ppm还行吧，起码证明电路问题不大，有些非线性的东西影响你的电路，比如运放的失调，bjt的非线性特性等等，具体问题具体办法处理，比如加chopping等方法

cmos再爱我一次 · 发表于 2024-9-6 17:03:37

JiahuiShen 发表于 2024-9-6 16:52
50ppm还行吧，起码证明电路问题不大，有些非线性的东西影响你的电路，比如运放的失调，bjt的非线性特性等 ...

谢谢您，我测的时候，发现运放的增益基本不变，但是bjt的vbe会随着corner的变化波动上下10mv，导致输出的基准电流也会变化，导致最终的vref的温度特性变化，这个该怎么调节啊，求您赐教

ZXY2002 · 发表于 2024-9-6 17:08:03

你输出vref在不同corner下变化大吗

cmos再爱我一次 · 发表于 2024-9-6 17:09:23

ZXY2002 发表于 2024-9-6 17:08
你输出vref在不同corner下变化大吗

在tt下是抛物线，但是在ss和ff就变成基本的直线了，导致ppm飙升到50-60ppm

狒狒的柯基 · 发表于 2024-9-6 17:16:06

cmos再爱我一次发表于 2024-9-6 17:09
在tt下是抛物线，但是在ss和ff就变成基本的直线了，导致ppm飙升到50-60ppm

工艺角变化时出现这个情况是很正常的，如果Vref数值变化不大，且ppm你能接受的话问题就不大。如果你不能接受，那考虑加trim电路会好一些，把工艺角变化带来的影响消掉。

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