电流镜过驱动电压如何设置

xduic · 发表于 2024-9-4 17:47:06

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如题，我现在想搭建一个共源共栅的电流镜，下支路有2个Nmos，上支路有2个Pmos。

从拉扎维书上可知，不管是从噪声角度还是失配角度都应该让共源管的过驱动电压大一点，保持在200mV左右。
但是在virtuoso中对电路进行DC仿真时，由于速度饱和效应的存在，除了VOD过驱动电压外，还有一个Vdsat的值，且这两个值并不相等。
因此我想咨询的是：到底是让DC中的Vdsat大一点去减小噪声和失配，还是VOD大一点去减小噪声和失配？
另外在电源电压确定的情况下，4个管子的Vdsat(如果是的话)应该如何划分呢？
我现在的想法是：在1.2V电源电压的条件下，如果留有200mV的余量，让每个管子的Vdsat都控制在250mV左右，并通过调节管子的宽长比使得
每个管子的Vds>Vdsat即可，请问这么设置合理吗？
欢迎大家一起讨论。

zwtang · 发表于 2024-9-4 19:27:44

需要在全工艺角(PVT)下来考虑Vds>Vdsat。

xduic · 发表于 2024-9-5 09:32:08

zwtang 发表于 2024-9-4 19:27
需要在全工艺角(PVT)下来考虑Vds>Vdsat。

那从噪声和失配角度是让Vdsat大一点还是VOD大一点呢

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