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我司提供的国产SRAM芯片8Mbit高速静态随机存取存储器，采用先进的CMOS工艺、基于6-TR的电池技术制造，专为高速电路技术而设计。位宽16x512K字节。使用16个公共输入和输出线，并具有一个输出使能引脚，其操作速度比读取周期的地址访问时间快。它特别适合用于高密度高速系统应用。这些存储器通常应用于老式系统中，且功耗较高。其典型应用包括老式PC L2高速缓冲存储器、高速暂存器以及工业应用中的缓冲存储器，可提供样品测试。
特性
•快速访问时间8ns,10ns,12ns
•CMOS低功耗待机
•宽电源范围:1.65V~3.6V
•TTL兼容输入和输出
•完全静态运行
•三种状态输出
•数据字节控制(x8,x16模式)
•标准44TSOP2和48FBGA封装
•工业操作温度
•通过无铅认证
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发表于 2024-8-30 16:53:08
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