在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 2114|回复: 15

[讨论] 拉扎维书上内容直观解释讨论

[复制链接]
发表于 2024-8-29 16:18:46 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x


1.png
请教一下各位大佬,关于这个直观的解释大家有没有什么比较好的想法?
小弟有一个直观的解释但感觉不是很直观:(1)、当考虑体效应时,会多一股电流,也就是gmbvbs这股受控电流源的电流,那么从等效电阻的最本质意义来讲,加的电压不变,仍然是Vx,但电流增大了,那么电阻自然是小了。以上就是我的一个想法,请各位大佬不吝赐教,另外还想追问一个问题,在拉扎维的书上有很多类似这种直观解释留给读者,对于这个直观的定义我总是感觉模模糊糊的,不知道怎么样的解释才算得上直观,也请教一下各位大佬。

点评

不要简单只看到体效应,要知道『背栅』概念。MOS管是MOSFET和JFET结合体,G端是MOSFET控制端,B端是JFET控制端。  发表于 2024-8-30 19:58
发表于 2024-8-29 16:25:11 | 显示全部楼层
进行大量电路分析之后,才能有直觉的。初学,就老老实实仔细分析模块电路吧。
 楼主| 发表于 2024-8-29 16:43:30 | 显示全部楼层


zwtang 发表于 2024-8-29 16:25
进行大量电路分析之后,才能有直觉的。初学,就老老实实仔细分析模块电路吧。 ...


好的,那大佬对这个直观的解释有什么想法吗
发表于 2024-8-29 17:31:40 | 显示全部楼层
考虑体效应,沟道变大,阻抗变小
发表于 2024-8-29 18:02:34 | 显示全部楼层


菜鸡小俞 发表于 2024-8-29 16:43
好的,那大佬对这个直观的解释有什么想法吗


https://bbs.eetop.cn/thread-974186-1-2.html

看看这个讨论吧,如果你能直觉得到结果,你就入门了。
 楼主| 发表于 2024-8-29 19:44:15 | 显示全部楼层


虚无之泡 发表于 2024-8-29 17:31
考虑体效应,沟道变大,阻抗变小


好的
 楼主| 发表于 2024-8-29 19:51:18 | 显示全部楼层


zwtang 发表于 2024-8-29 18:02
https://bbs.eetop.cn/thread-974186-1-2.html

看看这个讨论吧,如果你能直觉得到结果,你就入门了。


好的大佬,刚刚看了一下,表达式里为什么会有ro1不太理解,还得再看看,看上去是电流镜的影响
发表于 2024-8-29 22:14:31 | 显示全部楼层

关于电流模带隙基准的一些问题



菜鸡小俞 发表于 2024-8-29 19:51
好的大佬,刚刚看了一下,表达式里为什么会有ro1不太理解,还得再看看,看上去是电流镜的影响
...


你可以去看看拉扎维源级负反馈那里等效电阻的等效是怎么放大的
发表于 2024-8-29 22:41:11 | 显示全部楼层
你这么想,根据欧姆定理:R=U/I。给电路端口一个增加的电压u,我们可以同时在这个端口检测到改变的电流i。如果u/i很大,就会说从这个端口看进去的等效电阻很大;反之,如果i越小,我们就说等效电阻越小。
对于MOS管,当源极有一个小小的电平位移,它改变的Vgs会引起很大的电流改变,也就是说u/i里,u很小,i很大,所以从源端这个端口看的等效电阻很小。
 楼主| 发表于 2024-8-30 10:53:06 | 显示全部楼层


yinyt 发表于 2024-8-29 22:41
你这么想,根据欧姆定理:R=U/I。给电路端口一个增加的电压u,我们可以同时在这个端口检测到改变的电流i。 ...


有点道理,但好像没说明体效应的原因
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-16 18:39 , Processed in 0.023701 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表