请问大家在设计VCO时，一般怎么降低交叉耦合对引入的闪烁噪声呢？

CZR1225

请问大家在设计VCO时，一般怎么降低交叉耦合对引入的闪烁噪声呢？

仿真发现交叉耦合对的闪烁噪声对100kHz以后偏移处的相位噪声影响很大，但是没有什么简单的手段可以降低。
论文中提到的方法包括二次谐波的滤波技术（增大面积）、减小导通角（比如C类VCO，会改变现有的拓扑结构）、VGS和VDS之间的移相（还没具体研究），
请问各位大哥有什么实际经验可以分享的吗？

某2B网友

尾电流源用电阻替代，交叉耦合管L搞长一点，尾电感滤二次谐波。

CZR1225

某2B网友 发表于 2024-8-29 17:23
尾电流源用电阻替代，交叉耦合管L搞长一点，尾电感滤二次谐波。

谢谢您的回答

1）我的尾电流源就是采用尾电阻
2）理论上确实是增大L和W可以适当减轻闪烁噪声，但是调试过程中发现还是使用最小L的时候相噪最好，当保持宽长比稍微增大L和W后，相噪反而会下降；
3）这种方法要牺牲太多面积，一般情况下很少采用吧。

yangliqi

CZR1225 发表于 2024-8-29 17:31
谢谢您的回答

1）我的尾电流源就是采用尾电阻

我仿真时也发现虽然length减小后fn噪声贡献比例会提高但是整体相噪是变好的，反而是lengh增大相噪恶化，实在是不理解为什么？

骑着小猪看夕阳

请教楼主，最后有什么好的方法可以优化噪声吗？

CZR1225

骑着小猪看夕阳 发表于 2025-3-7 10:01
请教楼主，最后有什么好的方法可以优化噪声吗？

emmm 其实跟工艺也有很大关系 不同工艺管子的闪烁噪声也有很大差异；
如果是采用简单的NMOS only或者pmos only结构的话，只能尽量让TANK的Q值高一点，减小电流，从而降低闪烁噪声；

当然也可以采用噪声提升技术来优化，但是这些结构往往复杂；

骑着小猪看夕阳

CZR1225 发表于 2025-3-7 18:01
emmm 其实跟工艺也有很大关系 不同工艺管子的闪烁噪声也有很大差异；
如果是采用简单的NMOS only或者pmos ...

感谢感谢！那如果是NMOS和PMOS都有的呢，有啥方法优化噪声吗？我最近在做NP型交叉耦合对的VCO，噪声性能比较差，想请教一下

CZR1225

骑着小猪看夕阳 发表于 2025-3-10 10:12
感谢感谢！那如果是NMOS和PMOS都有的呢，有啥方法优化噪声吗？我最近在做NP型交叉耦合对的VCO，噪声性能 ...

细节方面需要自己去抠，总体来说就是：1、提高tank Q值，低频的话体现在电感设计上，高频上变容管和开关阵列也必须考虑；
2、调节摆幅，使其靠近电压受限区和电流受限区的临界；
3、可以加限流电阻试试；

骑着小猪看夕阳

CZR1225 发表于 2025-3-11 16:09
细节方面需要自己去抠，总体来说就是：1、提高tank Q值，低频的话体现在电感设计上，高频上变容管和开关 ...

非常感谢！