关于gmid设计中输入管因为有vdd/2的偏置引起的设计问题

fantasy19853

                               
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用gmid设计的时候没考虑到输入管的偏置点在600mV，这样会导致设计出来的W/L没法直接用还得调很多最后gm/id也乱了，如果输入管偏置可以只给250mV，那就不用gmid设计出来的值就是正确的，不知道这个问题大家都是怎么解决的，是设计好后再根据实际情况调节输入管W/L吗，感觉这样gm/id就乱了，是我调的方法有问题吗，这个设计里我是加大W放大了17倍

bxshcc

这和gmid有什么关系   你这结构的输入共模范围最大值也就是1.2-Vov电流镜-Vgs输入管   你觉得能让输入共模在600mV吗   你加大输入管的尺寸不过是减小了Vgs，所以勉强能行  但是你如果1.2V供电需要很高的输入共模电平 建议采用NMOS输入对  

fantasy19853

   

bxshcc 发表于 2024-8-18 00:34
这和gmid有什么关系   你这结构的输入共模范围最大值也就是1.2-Vov电流镜-Vgs输入管   你觉得能让输入共模 ...

谢谢哥回复。我觉得用n管的话也是Vov电流镜+Vgs输入管，和p管一样呀（n管Vgs可能小一些），按照n管p管这两项相等的话，n管可以到600mV，p管就是1200-600=600mV，这两项小的话n管p管就都可以，我主要是想吧输入共模设置在600mV（vdd/2）处，不知道该怎么设计

bxshcc

   

fantasy19853 发表于 2024-8-18 19:23
谢谢哥回复。我觉得用n管的话也是Vov电流镜+Vgs输入管，和p管一样呀（n管Vgs可能小一些），按照n管p管这 ...

仔细去看看书    NMOS与PMOS输入的结构有什么差别   看看是不是和你想象的一样   仔细学习一下共模输入范围

fantasy19853

   

bxshcc 发表于 2024-8-18 20:33
仔细去看看书    NMOS与PMOS输入的结构有什么差别   看看是不是和你想象的一样   仔细学习一下共模输入范 ...

我看书上也是这么写的，razavi321页。我理解的是n管的Vov电流镜+Vgs输入管如果小于600，那p管的Vov电流镜+Vgs输入管也小于600（没考虑n管p管vgs不同，同样的gm，n管vgs应该小一些，这个角度看n管可能可以），要是p管的Vov电流镜+Vgs输入管也小于600，那Vincm最大值就是1.2-0.6=0.6V,这样600mv也就可以了。谢谢哥指点，不知道我理解的对不对。图片在回复上发不上来，我发到帖子里试试

fantasy19853

razavi321页

bxshcc

   

fantasy19853 发表于 2024-8-18 21:42
我看书上也是这么写的，razavi321页。我理解的是n管的Vov电流镜+Vgs输入管如果小于600，那p管的Vov电流镜 ...

你算一下PMOS输入你分配的电流镜的Vov和输入管的Vgs是否满足小于600mV不就知道了    321页你画红线的地方后面还有句话不知你看到没   PMOS可以处理共模到0  NMOS可以处理共模到VDD