求助各位大佬，这种漏极在上，源极在下的PLDMOS，主要的作用是啥？

a1367011148 · 发表于 2024-8-13 14:03:49

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如图所示，VIN的输入大概是在3V-16V范围内，VOUT的话和VIN差不多大小，相差最多几百个mV。这个电路的大概意思就是VIN和VOUT在比大小，我想问的是，M1和M2这两个PLDMOS，它俩漏极在上，源极在下，而且LDMOS源漏肯定没法互换嘛，那它们的作用一般是什么呢？是保护功能嘛？如果是保护功能的话，那该怎么理解它的原理呢。提前感谢各位大佬！

youngabin · 发表于 2024-8-13 14:19:48

下面是3.3V管子，所以GATE电压也就是这个级别，VGS耐不了高压所以反则来，用VGD耐高压，就是保护作用。包括下面nld的开关也是一样的作用。都是保证管子电压域正常。
这个管子只是把VIN/VOUT信号传下来，由普通PMOS的电流镜构成的共栅比较器进行比较。这个电路看上去作用是比较VIN比VOUT大多少（电阻调整比较阈值）

youngabin · 发表于 2024-8-13 14:32:58

youngabin 发表于 2024-8-13 14:19
下面是3.3V管子，所以GATE电压也就是这个级别，VGS耐不了高压所以反则来，用VGD耐高压，就是保护作用。包括 ...

应该是VOUT比VIN大一个基准电流乘上面的调整电阻的电压阈值

a1367011148 · 发表于 2024-8-13 14:52:46

youngabin 发表于 2024-8-13 14:19
下面是3.3V管子，所以GATE电压也就是这个级别，VGS耐不了高压所以反则来，用VGD耐高压，就是保护作用。包括 ...

感谢大佬，非常有用

子车天纵 · 发表于 2024-8-14 10:12:18

用体二极管做高压DIO防反灌的

[求助] 求助各位大佬，这种漏极在上，源极在下的PLDMOS，主要的作用是啥？

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