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[求助] 工艺节点的“归一化”

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发表于 2024-8-5 16:48:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

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大家好,我想问大家一个关于工艺节点归一化的问题。这个问题可能显得有些奇怪。
先说说这个问题的由来。最近的芯片设计中,尤其是AI芯片设计,例如NPU,开始越来越注重能量效率这一概念,简称能效。这个指标表征了一块芯片的在能源利用、计算速度和性能的综合表现。当然,关于这个指标网上有很多讨论,甚至说争议,这里我们先不讨论这些。
显然,能效受很多因素的影响,其中,工艺节点是因素之一。从不同公司、高校、科研机构的文章中看到,他们所使用的工艺差异是比较多样的,从40 nm到最先进的3 nm节点,均有。
但为了显示自身设计的优势,需要将能效这一指标通过所谓的“归一化”,统一进行比较,虽然这是一个比较笼统、不太精确的操作,在众多的文章、期刊中还是被广泛采用。
我最近也在准备相关的内容,但深入分析统计后发现并没有我想象中那么简单。首先没有一个完整的数据源,IRDS提供了2016至今的roadmap,但其中有能效这一指标的变化情况(scaling)的数据似乎只有2022开始才有(不排除是我没有看到),ITRS(IRDS的前身)似乎也没有对这一个指标作统计(毕竟是一个比较新的概念)。所以从数据源头来说,想要做出这个指标的归一化,我需要各位的帮助。
另一个问题是,我们知道芯片的工艺节点经历过从平面到finfet的重大演变过程,平面工艺可能可以通过一些简单的方式,像什么平方关系等。但在先进的工艺节点,尤其是先进工艺节点是通过等效方式命名的,归一化到相同工艺节点变得更难了。
综上所述,想向各位广泛征求帮助意见,十分感谢。

发表于 2024-8-5 17:19:30 | 显示全部楼层
前排CY
发表于 2024-8-5 19:14:00 | 显示全部楼层
以foundry厂给出的性能指标为准。
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