设计中需要简单双端口(有时也称伪双端口,1R1W),但在T12nm工艺下生成SRAM,发现MC里面的双端口选择只有Dual Port SRAM和2 port PRF;
选用Dual port SRAM面积代价太大(3倍单端口);
选用UHD 2 port PRF从生成的DS来看,面积倒是大不了多少(1.1倍单端口),但据称通常大于4kbit左右,不建议选择PRF;
请教各位大佬,在12nm工艺下,如何选择大容量1R1W SRAM?是当前Memory Compiler支持的SRAM类型不全,还是有什么别的方法。
THANKS VERY MUCH!