关于12nm工艺下的1R1W SRAM选择

sunbox98

设计中需要简单双端口（有时也称伪双端口，1R1W），但在T12nm工艺下生成SRAM，发现MC里面的双端口选择只有Dual Port SRAM和2 port PRF；

选用Dual port SRAM面积代价太大（3倍单端口）；
选用UHD 2 port PRF从生成的DS来看，面积倒是大不了多少（1.1倍单端口），但据称通常大于4kbit左右，不建议选择PRF；
请教各位大佬，在12nm工艺下，如何选择大容量1R1W SRAM？是当前Memory Compiler支持的SRAM类型不全，还是有什么别的方法。
THANKS VERY MUCH！

jennie111

tsmc 的12nm的2P  只有UHD2PRF 和2PRF   没看到大于3kbit不建议的说法   主要是看是不是满足你的速度需求

Tang00

看 user guide ,是不是缺少memory compiler

sunbox98

多谢回复，使用的是FOUNDRY厂PDK自带的MC，确实没有使用ARM或者S家的memory compiler，不知ARM或者S家的MC是否有更多的two port （1R1W）SRAM的选择，跟单口SRAM相比，面积增加不是太多。

memcad

RF比SP面积只大1.1就直接用吧。觉得面积还是大，那你就用SP自己搭一个。上升沿读，下降沿写，看你速度是不是够。