mbist retention test问题

赫鲁小夫 · 发表于 2024-7-25 17:43:13

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本人刚开始接触dft相关工作，问题可能有点基础，希望大佬们不吝赐教。
目前的状态是：使用Tessent出pattern上机台进行测试，需要对memory 进行 retention test。

在进行retention test时，需要降低电压，测试数据保持能力，但是该在何时降低电压，又该在何时将电压升至正常呢？

在《Tessent MemoryBIST User's Manual》中提到了一个参数：“parallel_retention_time : 10ms ”，是与这个值有关吗？
如果有关的话，又是怎么影响的呢？

赫鲁小夫 · 发表于 2024-7-26 14:16:03

顶一下

赫鲁小夫 · 发表于 2025-8-4 12:00:11

再顶一下

wang_uestc · 发表于 2025-8-4 12:15:58

找DFT工程师告诉你或者在pattern中找关键字

赫鲁小夫 · 发表于 2025-8-5 14:38:39

wang_uestc 发表于 2025-8-4 12:15
找DFT工程师告诉你或者在pattern中找关键字

就我一个DFT工程师

在pattern中找到了关键词，大概给出一个cycle位置后，机台会有一个cycle的tdo出现01 fail，该怎么debug？

wang_uestc · 发表于 2025-8-5 17:08:42

本帖最后由 wang_uestc 于 2025-8-5 17:09 编辑

具体哪里failed？

赫鲁小夫 · 发表于 2025-8-5 17:47:04

wang_uestc 发表于 2025-8-5 17:08
具体哪里failed？

机台会给到，在某一个cycle处，tdo的比对结果。期待是低电平，但结果是高电平，具体是哪里failed看不到啊

chengtwa · 发表于 2025-8-15 14:04:21

赫鲁小夫发表于 2025-8-5 17:47
机台会给到，在某一个cycle处，tdo的比对结果。期待是低电平，但结果是高电平，具体是哪里failed看不到啊 ...

跟正常的波形对比呢，然后做定位。

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