mbist retention test问题

赫鲁小夫 · 发表于 2024-7-25 17:43:13

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本人刚开始接触dft相关工作，问题可能有点基础，希望大佬们不吝赐教。
目前的状态是：使用Tessent出pattern上机台进行测试，需要对memory 进行 retention test。

在进行retention test时，需要降低电压，测试数据保持能力，但是该在何时降低电压，又该在何时将电压升至正常呢？

在《Tessent MemoryBIST User's Manual》中提到了一个参数：“parallel_retention_time : 10ms ”，是与这个值有关吗？
如果有关的话，又是怎么影响的呢？

赫鲁小夫 · 发表于 2024-7-26 14:16:03

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