MOS源漏穿通效应如何理解

fayekoko · 发表于 2024-7-11 14:18:58

源漏穿通效应  是指短沟道时  漏极的耗尽层逐渐扩大与源级耗尽层相接触  这时会出现无法关断的原因  是因为源级的电子通过源漏的耗尽层漂移到了漏极而不是导电沟道吗
于是和是否形成沟道无关 MOS无法关断只要有VDS 源漏就有电流  不清楚这个理解对吗

另外补充一个阈值电压的知识是EETOP2012年的一个帖子结论是先进工艺下的结构halo 沟道越短  阈值电压越高 eetop上大佬回答.png

122013137 · 发表于 2024-7-11 14:32:51

短沟道时漏极的耗尽层逐渐扩大与源级耗尽层相接触

fayekoko · 发表于 2024-7-11 19:57:17

询问了考研半导体140多分的大佬给出的解释：
pn结耗尽层是会在轻掺杂一侧展宽更多衬底掺杂比源漏低所以源漏跟衬底的两个pn结耗尽层都在衬底里展宽又因为施加反向电压n区接正让漏极耗尽层展宽最终导致源漏耗尽层相接触由于耗尽层有自建电场源级的电子通过自建电场扫到漏极使得无需沟道一直有电流流过 MOS无法关断

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