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发表于 2024-6-25 09:49:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

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A 16Gb 9.5Gb/S/pin LPDDR5X SDRAM With Low-Power Schemes Exploiting Dynamic Voltage-Frequency Scaling and Offset-Calibrated Readout Sense Amplifiers in a Fourth Generation 10nm DRAM Process
Published in: 2022 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)
Date of Conference: 20-26 February 2022
Date Added to IEEE Xplore: 17 March 2022
DOI: 10.1109/ISSCC42614.2022.9731537
Publisher: IEEE
Conference Location: San Francisco, CA, USA
文章链接:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9731537
发表于 2024-10-7 16:48:42 | 显示全部楼层
跟楼主一样,同求
发表于 2024-10-7 19:11:15 | 显示全部楼层
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A_16Gb_9.5Gb_S_pin_LPDDR5X_SDRAM_With_Low-Power_Schemes_Exploiting_Dynamic_Volta.pdf

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