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[求助] MC仿真中的一些困惑

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发表于 2024-6-24 16:18:55 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 蓝皮丝瓜 于 2024-6-24 16:28 编辑

  在simc180nm工艺库中,同一个器件有两种类型,例如n33和n33_ckt,前者不带mismatch模型,而后者包含mismatch模型。在MC仿真的时候,需要将普通的器件换成这种带ckt后缀的器件进行仿真。但我有个疑问,在替换过程中,是要将所有的器件都替换后进行MC仿真,还是只替换一部分?
  在今年的集创赛芯海杯中需要做一个温度传感器,其在初赛报告中有一个前仿进行MC仿真的要求。这种不结合版图的mc仿真该怎么去做?因为一些器件可以通过版图的匹配来减少其mismatch,例如运放中的差分对管,和电流镜这些。这样的话该如何去保证仿真结果的精准?是不是在仿真中不用将这些mos管替换成带有ckt后缀的管子?
  还有所设计的温度传感器,其内部带有校准电路,可以将电阻和bjt的失配带来的误差进行校准,这样的话,做MC仿真的时候是不是就不用带上这电阻和bjt的失配模型,而只进行MOS失配的仿真?

发表于 2024-6-24 17:24:23 | 显示全部楼层
其实有同样得疑惑,对于其中的校准,我是以1/2 LSB为最差的情况,不加mc进行仿真。模拟校准后最差的情况
发表于 2024-6-24 17:43:53 | 显示全部楼层
mismatch分很多种,其中版图上的匹配能优化的是一种;mc仿真的是假设版图完全一致,生产出来也会有差异,这个随机的失配。校准是说我失配有这么大,不能接受,但是我可以通过trim修调回来,最终结果达到可接受范围。器件替换直接一键操作,全选替换或者在网表上替换即可。
发表于 2024-6-24 19:24:33 | 显示全部楼层
即使有trim,mc仿真能预测trim前的偏差。
假如trim的是电阻,实际是通过电阻trim了所有的误差源,并不是只去掉了电阻的mismatch。所以仿真要把所有器件的mismatch都带上。
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