关于MOS管Cgg的一个问题

YooJio · 发表于 2024-6-20 15:59:51

一般用Tox算的Cgg是MOS管导通时候的栅电容，但是关断的时候MOS管也会贡献很小的电容，数量少还行可以忽略，如果遇到那种阵列的情况，这个时候一个mos管等效的负载电容影响就很大了，一般仿真的时候这个怎么考虑，负载电容该给多少，这个电容怎么去量化。

artizei · 发表于 2024-6-21 09:49:03

导通和关断的Cgg不都可以通过dc仿真给出来吗，没太理解你的问题

YooJio · 发表于 2024-6-21 10:13:28

artizei 发表于 2024-6-21 09:49
导通和关断的Cgg不都可以通过dc仿真给出来吗，没太理解你的问题

就是这个能算吗我想通过计算和仿真结合的方式有利于理解

YooJio · 发表于 2024-6-21 16:00:05

解决了，不论是关断还是导通，从栅端看进去贡献的cgg是相同的，但是随着m值的增大，cgg也会增大，计算出来的cgg和实际使用中会有误差，误差随着m值变大而变大。

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