增加RES CT的排数

芯片小兵 · 发表于 2024-5-27 11:46:42

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有么有什么方法，在不更改工艺厂pcell的情况下，将电阻CT的排数增加到多排。

熊韵 · 发表于 2024-5-27 15:28:25

自己做一个只有孔的pcell，然后直接调用

着着着火了 · 发表于 2024-5-27 17:44:10

首先要去design rule看一下是否是工艺厂限制的用法，有些工艺会要求某些类型的电阻只能用单排孔。
如果没有限制PDK又不放出修改选项的话，可以写一个pcell去调这个电阻的pcell，把需要修改的parameters都继承下来，再加上一个设定排数的parameter，通过电阻自身的parameter和你写的算法自动计算需要增加的CT，写好后你就可以直接调你写的pcell来替代PDK的pcell（没有改变PDK的pcell，只是在调出来的过程中经过了处理，然后再生成了一个可调用的cell，就是superMaster和master的关系)

芯片小兵 · 发表于 2024-5-28 16:43:44

着着着火了发表于 2024-5-27 17:44
首先要去design rule看一下是否是工艺厂限制的用法，有些工艺会要求某些类型的电阻只能用单排孔。
如果没有 ...

学到了，谢谢佬

芯片小兵 · 发表于 2024-5-28 16:45:12

熊韵发表于 2024-5-27 15:28
自己做一个只有孔的pcell，然后直接调用

也是一种方法

_spock · 发表于 2024-6-6 18:20:15

选择器件直接修改属性即可，以目前项目中的DB工艺为例子，选中你需要增加CT排数的电阻后，在CIW中使用css()~>cntRows = n，即可进行修改；为了方便可以创建一个简单的脚本使用。

芯片小兵 · 发表于 2024-6-7 09:06:16

_spock 发表于 2024-6-6 18:20
选择器件直接修改属性即可，以目前项目中的DB工艺为例子，选中你需要增加CT排数的电阻后，在CIW中使用css() ...

有的工艺pcell里面没有这个参数，这个就用不了。

99259 · 发表于 2024-6-20 17:10:52

着着着火了发表于 2024-5-27 17:44
首先要去design rule看一下是否是工艺厂限制的用法，有些工艺会要求某些类型的电阻只能用单排孔。
如果没有 ...

原来是这个意思！

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