在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 217|回复: 0

[求助] 如何解释Cg-Vgs图像(lvtsvthvt三种管的差异)

[复制链接]
发表于 2024-5-24 16:01:37 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
本帖最后由 AlexanderD 于 2024-5-24 16:06 编辑

如题,采用的TSMC65nmlp,hspice仿真,横轴为Vgs,纵轴为扫描的Lx82参数,也就是Total gate capacitance,从栅极看过去的总电容。
三种管子的尺寸相同,都是W=10u   L=1u
扫描得出结果如图所示,按照通常情况来说电容值的大小应该是lvt大于svt大于hvt,中间段的情况也确实如此。
那么图中低压和高压的情况该如何解释(物理层面上),低压时是hvt大于svt大于lvt,高压时是hvt大于lvt大于svt。
请教各位


整体扫描结果

整体扫描结果

Vgs接近1v的情况

Vgs接近1v的情况

放大版

放大版
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-6-17 03:45 , Processed in 0.017804 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表