用于LDO的带隙基准怎么设计

yfr · 发表于 2024-5-16 18:07:43

CZJ98 发表于 2024-5-16 15:44
是的，BG放大器提供直流增益，而不是带宽，尽量使用简单结构，保证稳定即可。
...

运放的带宽不是影响带隙的psrr吗？如果是单极的话，怎么考虑对带隙psrr的影响呢？

waniwa · 发表于 2024-5-16 20:01:42

好东东

qluo14 · 发表于 2024-5-16 21:22:05

yfr 发表于 2024-5-16 08:35
我网上随便截图的。但是画图你可以用visio

我知道VISIO，就是看你这个图不是VISIO画的所以好奇什么软件。

tofu0525 · 发表于 2024-5-17 10:40:19

yfr 发表于 2024-5-16 18:00
我也是这么想的，但是看帖子说1.3V以上不建议使用，想知道为啥

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yfr · 发表于 2024-5-18 18:08:22

tofu0525 发表于 2024-5-17 10:40
有帖子连结吗?想做确认再评论

非常抱歉我没有把那个链接收藏起来仔细去体会，导致我现在找了快一个小时也没找到，，，麻木了。

wkp1992101 · 发表于 2024-5-20 21:00:54

banba结构，用在你这里非常合适

semico_ljj · 发表于 2024-5-21 09:03:57

yfr 发表于 2024-5-16 08:35
我网上随便截图的。但是画图你可以用visio

nicer...

yumosky · 发表于 2024-12-23 11:45:28

我最近搞的一个BG也用了这个结构，需要VDD在5~14V之间BG都正常工作，而且VDD纹波集中在1MHz。但有两个问题，一个是PSR一直做不好，搜了很多资料但一直不清楚PSR是由哪些部分决定的，是不是二级运放有影响？另一个就是电压跨度大了以后启动电路不好搞，总担心MOS栅极被击穿，不知有什么合适的结构？

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