ESD附近短接地的MIM电容会影响latch up 么？

霍比特美凌格 · 发表于 2024-5-10 14:29:03

gratwo 发表于 2024-5-10 14:06
“ESD保护环上加了一些短接到地的MIM电容” -----这个没理解。 ESD保护环上加了电容、MIM两端短接到地？ ...

图上有显示，为了过CTM2的density，就加一些MIM电容然后这些电容是dummy，上下级板都是短接到地的，由于电容放在ESD的保护环上，所以电容的上下极板都是接在保护环p＋ring上

霍比特美凌格 · 发表于 2024-5-10 14:33:54

gratwo 发表于 2024-5-10 14:23
内圈N+是B吗？

大概是这样

gratwo · 发表于 2024-5-10 17:23:00

霍比特美凌格发表于 2024-5-10 14:33
大概是这样

B 和内圈N+ ring之间的ring 是 P ring？MIM是接在这个P ring和内圈HV P+ring之间吗?

霍比特美凌格 · 发表于 2024-5-10 17:30:46

gratwo 发表于 2024-5-10 17:23
B 和内圈N+ ring之间的ring 是 P ring？MIM是接在这个P ring和内圈HV P+ring之间吗?
...

MIM接的地是内圈n＋和外圈n＋之间的p＋ring
B和内圈n＋之间的事P＋ring

gratwo · 发表于 2024-5-11 08:27:26

本帖最后由 gratwo 于 2024-5-11 08:43 编辑

霍比特美凌格发表于 2024-5-10 17:30
MIM接的地是内圈n＋和外圈n＋之间的p＋ring
B和内圈n＋之间的事P＋ring

MIM的两端的地都接在内圈n＋和外圈n＋之间的p＋ring 上，是这样吗？

gratwo · 发表于 2024-5-11 08:59:16

另外IO电位多少？VDD电压多少？

genehuang · 发表于 2024-5-12 20:00:49

利用什么办法将接地的电容悬空的？

gratwo · 发表于 2024-5-14 09:43:51

霍比特美凌格发表于 2024-5-10 11:49
你好，图片就是局部版图和ESD的结构图，然后我还有一个问题，TSMC给的建议是ESD的外围N环是接vcc的，但是 ...

”TSMC给的建议是ESD的外围N环是接vcc的，但是我们实测接地的时候HBM效果更好，请问原理是什么？但两圈n＋接地效果不如里面n＋接地外围n+接电源“--------------------------------------------------没有搞清楚为什么把短接的电容拿掉后LU变好。内圈接地，外圈n+接VCC效果好的原理是清楚了-----------内圈的npn离内部器件更近，使得其放大倍数更大，把它接地相当于把这个npn给去掉了

这个短接的电容很神奇，它为什么能使的Rsub变大呢？

霍比特美凌格 · 发表于 2024-5-29 10:29:52

genehuang 发表于 2024-5-12 20:00
利用什么办法将接地的电容悬空的？

FIB直接切的，

霍比特美凌格 · 发表于 2024-5-29 10:30:54

gratwo 发表于 2024-5-11 08:27
MIM的两端的地都接在内圈n＋和外圈n＋之间的p＋ring 上，是这样吗？ ...

是的

[求助] ESD附近短接地的MIM电容会影响latch up 么？

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