半导体器件之JFET结型场效应管

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   结型场效应管是一种具有放大功能的三端有源器件，是单级场效应管中最简单的一种，它可以分为N沟道或者P沟道两种。在同一块N型半导体上制作连个高掺杂的P区（或在同一块P型半导体上制作两个更好掺杂的N区），将两个高掺杂的P区或者N区连接在一起，所引出的电极称为栅极，而位于中间的区域两端分别引出两个电极为源极S和漏极D。由此在N型或者P型半导体硅片的两侧各形成一个PN结，从而形成两个PN结夹着一个N型或者P型沟道的结构，这就是JFET的基本结构。
    N型沟道掺杂有施主杂质，其中通过沟道的电流以电子的形式为负。P型沟道掺杂受主杂质，其中电流以空穴的形式流动为正。与空穴相比，电子通过导体具有更高的迁移率，因此N型沟道比P型沟道具有更高的沟道导电性。
    以华宏0.5工艺700Vjfet结构为例

   上图分别为剖面图和jfet整体结构：该jfet为N沟道器件，其沟道位于P型儆和P型衬底之间，沟道处于常开启状态。最左侧N+为jfet的源极，中间P型阱区域为栅极，右侧N+区域为漏极。
   该结构的jfet与一般的jfet结构有所不同，该结构的jfet是由LDNMOS改造而成。即由一个LDNMOS和外加的左侧一个N+极构成一个完整的jfet。因此需先介绍一个LDNMOS，LDNMOS是DMOS的一种，BCD工艺中包含bipolr,cmos和dmos。cmos是互补金属氧化物半导体，dmos是双扩散金属氧化物半导体。下图为ldmos的结构图：

   dmos存在一个扩散区，上图中的P区域即为扩散区，扩散区与N+区之间即为ldmos的沟道。
   回到之前的jfet管，当我们将ldmos的源端和gate端短接构成jfet的栅极后，则ldmos的漏端将成为jfet管的漏端，额外增加的一个N+注入区将为jfet的源端。