大电流版图的取舍，以及版图中的寄生电感。

register_623

求助一下各位大佬，小弟最近设计的时候和电路遇到了一个都不是很懂的问题，想要问问各位，有没有什么思路。

情况介绍：
在OUT 和GND之间连接的是40V的ldmos，工作在24V左右，工作电流在3-6A。
以下两个设计都满足电流密度要求，以及留出了一定裕度，会考虑电迁移等，把边角修掉，电流密度均满足。



版图部分：版图倾向于A这个设计
                1.我们思考，过宽的金属由于趋肤效应等考虑，实际金属利用率并不会很高，所以不想用大片金属打slot的方式实现（也就是plan B）；
                2.另外我们考虑到沟道电流能量的运动问题，在满足电流密度的情况下，我们提高了S/D叉指的频率，以提供S/D到顶层金属的更低阻通道；
电路部分：电路倾向于B设计.
                1.电路部分主要考虑的问题是，OUT部分的外部应用会存在开关之后的大电流切换问题，这样容易导致一些瞬态的感生电压，导致由实际24V拉升到40V甚至更高，击穿管子（我们的部分管子使用的是35V的管子，ESD做在36V，电路表示，外面大概率会合封TVS），我们做的这种频繁叉指结构会导致更大的寄生电感。

请问各位大佬几个问题，
1.这两个设计如果在上述的情况下，你们会考虑A还是B.能简单说说理由吗（具体就更好啦）？
2.查了资料，基本没有找到如何考虑版图中的寄生电感问题，能否有大佬简单说说？或者指个路，有资料的也行，我去看看，谢谢。
               

realgb

你们用几层金属？我这边实际项目中用的既不是A也不是B。

register_623

realgb 发表于 2024-4-29 13:50
你们用几层金属？我这边实际项目中用的既不是A也不是B。

4层 TM40kA，啊有什么推荐方案吗？

realgb

register_623 发表于 2024-4-29 13:56
4层 TM40kA，啊有什么推荐方案吗？

底层金属用A，因为要接S/D是没办法用大片的，顶层金属用整片的类似B但不完全一样。

register_623

realgb 发表于 2024-4-29 14:11
底层金属用A，因为要接S/D是没办法用大片的，顶层金属用整片的类似B但不完全一样。
...

我懂你意思，也可以理解，我现在就是找不到关于这个寄生电感的解，没理解这个到底是怎么个寄生工作过程。

hentajoker

https://blog.csdn.net/weixin_420 ... 17483-null-null.142^v100^pc_search_result_base5&utm_term=%E5%AF%84%E7%94%9F%E7%94%B5%E6%84%9F&spm=1018.2226.3001.4187

register_623

hentajoker 发表于 2024-4-29 15:51
https://blog.csdn.net/weixin_42005993/article/details/108017483?ops_request_misc=%257B%2522request%2 ...

感谢回复，如果有更近一些的分析案例就更好了。
我之前的表述可能不够清晰，这里想要更具体一些的分析，上述的这个AB两个方案在同样的外部条件下，差异是怎么产生的？具体的差异是在什么地方？是我的问题描述不清晰了，谢谢回复。