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查看: 834|回复: 4

[求助] 关于CML高速锁存器(接上个求助帖)

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发表于 2024-4-20 21:36:15 | 显示全部楼层 |阅读模式

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随后进行了tran仿真,结果图1
高电平时会出现下凹,推测是因为当CLK降为低电平时,M5还为完全关断,导致采样到下降沿,于是调整数据delay继续仿真,结果如图2
还是会出现下凹,说明不是推测的原因,想请教一下各位大佬波形中高电平下凹的真正原因,可以如何改善呢?


图1

图1
2.png
发表于 2024-4-21 00:20:23 | 显示全部楼层
mark..
发表于 2024-5-30 14:48:48 | 显示全部楼层
原因大概是因为cross couple tail的电压跳动和input的coupling。 可以考虑steering current 和 nulling cap。
发表于 2024-5-31 16:46:14 | 显示全部楼层
学习一下看大佬怎么说
发表于 2024-5-31 17:10:28 | 显示全部楼层
应该是因为M5关断但M6还未导通时,VOP VON中原本被拉低那个没了下拉路径,然后就被电源充电,但是当M6导通后因锁存反馈又会恢复
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