关于trim电容阵列的设计

Sirit · 发表于 2024-4-18 11:41:57

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小弟最近在设计一个可以trim的电容阵列，在电容到地简单地接一个NMOS开关进行容值控制，使用sp仿真其容值，有两点疑惑：
1.开关开启的时候，为何容值随频率增加会逐渐下降到0，是产生了电容串联现象么？（使用的MOM电容，不接开关则不会有该情况）；
2.开关开启时，不同温度条件下容值随频率下降速率不一致，导致在一定频率条件下容值随温度变化较大，从而影响系统的温漂性能；

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