高性能微控制器R7FA4M2AC3CFL、R7FA4M2AC3CNE、R7FA4M1AB3CNE基于Arm®内核

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一、RA4M2：100MHz arm® Cortex®-M33 TrustZone®，具有高集成度和低功耗


概述
RA4M2 32 位微控制器 (MCU) 产品群使用支持 TrustZone 的高性能 Arm® Cortex®-M33 内核。 与片内的 Secure Crypto Engine (SCE) 配合使用，可实现安全芯片的功能。 RA4M2 采用高效的 40nm 工艺，由灵活配置软件包 (FSP) 这个开放且灵活的生态系统概念提供支持，FSP 基于 FREERTOS 构建，并能够进行扩展，以使用其他实时操作系统 (RTOS) 和中间件。 RA4M2 适用于物联网应用的需求， 如多样化的通信功能、面向未来应用的安全功能、大容量嵌入式 RAM 和较低的运行功耗（从闪存运行 CoreMark® 算法时功耗低至 81µA/MHz）。



R7FA4M2AC3CFL微控制器：48引脚LQFP封装
核心处理器：ARM® Cortex®-M33
内核规格：32-位
速度：100MHz
连接能力：CANbus，I2C，QSPI，SCI，SPI，UART/USART，USB
外设：AES，DMA，LVD，POR，PWM，温度传感器，WDT
I/O 数：30
程序存储容量：384KB（384K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：8K x 8
RAM 大小：128K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：2.7V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 7x12b SAR; D/A 2x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：48-LFQFP（7x7）
封装/外壳：48-LQFP



R7FA4M2AC3CNE微控制器：48引脚QFN封装
核心处理器：ARM® Cortex®-M33
内核规格：32 位单核
速度：100MHz
连接能力：CANbus，I2C，QSPI，SCI，SPI，UART/USART，USB
外设：电容式触摸，加密 - AES，DMA，LVD，POR，PWM，RSA，SHA，温度传感器，WDT
I/O 数：30
程序存储容量：384KB（384K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：8K x 8
RAM 大小：128K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：2.7V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 7x12b SAR; D/A 2x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：48-HWQFN（7x7）


二、RA4M1：适用于 HMI 的 32 位微控制器，带有 48MHz Arm® Cortex®-M4 以及 LCD 控制器和电容式触控

简介
RA4M1 微控制器 (MCU) 群组使用高性能 Arm® Cortex®-M4 内核，为密集型 HMI 设计提供段式 LCD 控制器和电容式触摸感应单元输入。RA4M1 MCU 采用高效的低能耗工艺，由开放且灵活的生态系统概念提供支持，即基于 FreeRTOS 的灵活配置软件包 (FSP)，能够扩展以使用其他 RTOSes 和中间件。RA4M1 适用于需要大量电容式触摸通道和段式 LCD 控制器的应用。


R7FA4M1AB3CNE微控制器：256KB闪存
核心处理器：ARM® Cortex®-M4F
内核规格：32-位
速度：48MHz
连接能力：CANbus，EBI/EMI，I2C，SCI，SPI，UART/USART，USB
外设：DMA，LVD，POR，PWM，WDT
I/O 数：36
程序存储容量：256KB（256K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：8K x 8
RAM 大小：32K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.6V ~ 5.5V
数据转换器：A/D 14x14b SAR; D/A 2x8b，1x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：48-HWQFN（7x7）

高性能微控制器R7FA4M2AC3CFL、R7FA4M2AC3CNE、R7FA4M1AB3CNE基于Arm®内核，这些单片机器件我们（明佳达电子/星际金华）供应及回收库存货源，具体请联系陈先生qq 1668527835 洽谈。