基准电压关于工艺角仿真结果差距较大

761395482 · 发表于 2024-4-2 16:44:01

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

登录/注册后可看大图

低功耗基准电压源的结构是图上这样的，参考2009年jssc，A 300 nW,15 ppm/C,20 ppm/V CMOSVoltage Reference Circuit Consistingof Subthreshold MOSFETs。
我给的VDD是2.8V，mos管除了MR1其余都在亚阈值区，输出基准电压大概530mV，温漂系数是正常的，但是用工艺角仿真的时候ff和ss情况相差200mV。
我参考类似结构的文章，他们的工艺角差距在十几mV之内，检查了ff和ss情况下管子的工作状态好像也没什么问题，不知道咋回事。
工艺用的tps90nmSOI

[讨论] 基准电压关于工艺角仿真结果差距较大

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

站长推荐 /2