pmos开关的电压设置问题

xduic · 发表于 2024-3-13 17:07:16

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如题，假设我在65nm工艺下使用了标压为1.2V的pmos管子，此时pmos的衬底电压为1.2V。如果在pmos导通的情况下，开关的一侧，比如pmos的源端电压超过了1.2V，到达了1.5V甚至更高，此时pmos的衬底的pn结会形成正偏，进而导通，但是不影响开关的信号传递，即pmos的漏端电压仍然可以到达1.5V，此时这种情况有没有什么风险？因为之前看过有人说，mos管最重要的是栅压不要超过太多。如果源漏超过太多的话，有什么影响呢？都说PN结不能正偏，正偏会怎么样呢？对于开关的话，仍然可以正常工作呀。欢迎大家讨论

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