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[求助] 新人用Cadence学习CMOS模集仿真的迷茫

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发表于 2024-3-8 10:23:06 | 显示全部楼层 |阅读模式

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现在研一下学期,拉扎维啃了一半,想学习Cadence做做仿真,巩固一下学习的知识。

现在学会了Cadence的基本操作,使用的库是smic18ee系列的元件,但是不知道MOS的具体参数(un和Cox等等)。看一些大佬的帖子,尝试计算un和Cox,但是用算出的数据来预测电流,发现误差很大,只有数量级是正确的。
查了一些资料,发现产生这样的结果可能是因为拉扎维书里是Level 1模型,实际使用的是bsim4模型(比如根据书上的模型,Vsat=Vgs-Vth,但实际上Vsat<Vgs-Vth)。
现在有点迷茫,不知道怎样将仿真结果个书本所学的内容联系起来。前辈们都有什么建议吗?
发表于 2024-3-8 10:35:44 | 显示全部楼层
先不要死磕模型,先按照书里的指标要求搭一个放大器仿真看看对不对,搞明白一个放大器能学会很多东西
发表于 2024-3-8 11:11:54 | 显示全部楼层
手算只能大概的估算数量级。
公式更多的是帮助我们仿真的时候分析各个量之间的关系。
发表于 2024-3-8 12:19:24 | 显示全部楼层
书上写的主要是理论知识和设计流程,为了简单起见肯定不会用高阶模型来算。工程上面对一个性能指标,需要你知道影响他的因素是什么,如果要优化它的话方向是什么,为了优化它可能付出的代价又是什么。在纯手算与仿真有较大误差的时候,你需要根据你推导的理论公式调整相关的参数,把电路调到满足你要求的状态,这就是用书上的理论去指导你的设计和仿真。
如果你希望你设计的时候手算能与初次仿真结果更接近一些,那你肯定需要对该工艺下的器件特性更了解,这个就需要通过一些单管的仿真或者设计手册去查看。但即便是这样也不会100%的准,还是需要根据结果进行微调的。
发表于 2024-3-10 14:47:04 | 显示全部楼层
同新手,可以看看gm/id的设计方式,设计结果和仿真结果差的不多
发表于 2024-3-10 15:04:18 | 显示全部楼层
工艺器件特性了解
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