在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 314|回复: 5

[求助] TSMC的lvt_mos,hvt_mos仿真问题

[复制链接]
发表于 2024-3-6 18:57:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
请问lvt_mos,hvt_mos和普通mos之类不同类型的管子,在跑角条件的时候,有必要把角条件分开仿真吗?这样光mos的角条件就有16组了。另外还有存在od33之类的管子也是同样的问题。我记得之前TSMC好像会给管子分组,有些管子的角条件会同时往同一个方向偏,但是我找不到相应的文档了,求大神告知。
 楼主| 发表于 2024-3-7 09:10:43 | 显示全部楼层
求助,顶一下
发表于 2024-3-7 09:40:44 | 显示全部楼层
如果你的電路是用到這麼多的MOS
當然所有的coner都要跑到
所以在analog design
盡量從頭到尾都只用一種元件
 楼主| 发表于 2024-3-7 10:23:04 | 显示全部楼层


kanchiam 发表于 2024-3-7 09:40
如果你的電路是用到這麼多的MOS
當然所有的coner都要跑到
所以在analog design


意思是说这两种mos的角条件不是同步的吗?不会ff的时候都是ff?
发表于 2024-3-11 16:43:09 | 显示全部楼层
有些時候是不同步的
因為lvt 與hvt是利用不同的layer去doping
調整不同的多數載子濃度
lvt 與hvt Vth調整幾乎可以看成獨立事件
 楼主| 发表于 2024-3-12 16:16:38 | 显示全部楼层


kanchiam 发表于 2024-3-11 16:43
有些時候是不同步的
因為lvt 與hvt是利用不同的layer去doping
調整不同的多數載子濃度


了解,感谢!
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-5-19 12:09 , Processed in 0.022570 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表