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[求助] 高频PLL设计,用65nm CMOS工艺设计10GHz PLL的性能如何?能实现基本功能吗?

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发表于 2024-3-1 16:19:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
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楼主最近要为高频ADC设计片上时钟,所需时钟频率为10GHz,要求使用TSMC 65nm CMOS工艺,请问65nm工艺能够完成该设计吗?RMS抖动在2-3ps左右都可以接受。
1.目前论文中有使用SSPLL架构在65nm下设计的10GHz PLL,但使用的参考频率都在几百MHz,无法由晶振直接提供。如果使用晶振提供参考信号,那分频比会变得很大,这会对噪声产生很大影响吗?
2.是否能通过两级PLL级联实现10GHz的时钟信号呢?两级级联的PLL是否会有更好的性能呢?
3.如果不能直接产生10GHz的PLL,那是否可以通过2.5GHz或者5GHz的PLL再接频率倍增电路实现10GHz信号的产生呢?


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电感Q提升到20以上,相噪大大改善。还有就是电感的感值尽量小,输出幅度净量大些,对相噪来说是友好的
发表于 2024-3-1 16:19:58 | 显示全部楼层


cuihaofeng 发表于 2024-3-7 14:27
但是工艺库中的电感的Q值仅仅是15左右。。。这个Q值真的能做到-115dBc/Hz吗?我做的VCO只有-90dBc/Hz。。 ...


电感Q提升到20以上,相噪大大改善。还有就是电感的感值尽量小,输出幅度净量大些,对相噪来说是友好的
 楼主| 发表于 2024-3-2 16:08:27 | 显示全部楼层
顶一下
 楼主| 发表于 2024-3-3 20:08:12 | 显示全部楼层
自己再顶一下
发表于 2024-3-4 10:04:30 | 显示全部楼层
想问下楼主SSPLL这种结构产业上的做的多吗,感觉没见过几个
发表于 2024-3-4 15:24:24 | 显示全部楼层
65nm是可以实现10GHz的PLL的

1,分频比的增大会直接恶化带内噪声的表现,但RMS.jitter的要求是ps级别的话,还是很容易满足的
2,可以用两级级联的方式,至于更好的性能,还是要看设计
3,可以用注入锁定倍频电路对PLL的输出频率进行倍增
 楼主| 发表于 2024-3-6 13:37:48 | 显示全部楼层


ArcherKF 发表于 2024-3-4 15:24
65nm是可以实现10GHz的PLL的

1,分频比的增大会直接恶化带内噪声的表现,但RMS.jitter的要求是ps级别的话 ...


请问您是否有做过类似的设计呢?目前可以买到625MHz的有源晶振,如果使用625MHz的有源晶振作为ref,那分频比N=16,噪声性能可以优化一些。但625MHz的鉴相频率,对电荷泵的要求又会变高
发表于 2024-3-6 14:24:38 | 显示全部楼层
这个工艺下,10GHz在offset1MHz的情况下,相位噪声很轻松到-115dbc/Hz,应该问题不大
发表于 2024-3-6 16:16:55 | 显示全部楼层
晶振用100M左右的就够了。你这个要求很松。N变大增大的也就是CP/REF噪声而已。用LCVCO完全可以满足你的需求。
 楼主| 发表于 2024-3-7 14:27:21 | 显示全部楼层


zxkl317408 发表于 2024-3-6 14:24
这个工艺下,10GHz在offset1MHz的情况下,相位噪声很轻松到-115dbc/Hz,应该问题不大 ...


但是工艺库中的电感的Q值仅仅是15左右。。。这个Q值真的能做到-115dBc/Hz吗?我做的VCO只有-90dBc/Hz。。。
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