芯片制造前段工艺中，有源区是在NW生成之后有的吗

xd.liu · 发表于 2024-2-29 10:38:35

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在集成电路制造工艺中，我理解的是，先是光刻刻蚀掺杂离子，使双阱生成，然后下一个流程是栅氧化层和多晶硅栅的生成，下一个是LDD和源漏离子注入，那么有源区是一开始就生成的，还是中途哪个步骤开始才生成，很是困惑。

tea_whz · 发表于 2024-2-29 10:57:55

拿大工艺BCD来说，先长埋层，然后生长外延，外延生长完成后做一次全局表面氧化，长出较厚的氧化层，然后在氧化层上刻出窗口做双阱，再然后有一次全局氧化，然后开窗做薄氧（栅氧），这一步的开窗其实就是源区的版，只是没有注入，开窗完成后生长多晶并刻蚀出多晶硅栅。多晶硅栅做完再将多余的薄氧去除，然后是离子注入和LDD，注意是先注入再横向扩散。离子注入形成源区，横向扩散将源漏区和沟道区接触到一起。

이지은 · 发表于 2024-2-29 11:37:45

在NW之后

xd.liu · 发表于 2024-3-8 10:56:37

tea_whz 发表于 2024-2-29 10:57
拿大工艺BCD来说，先长埋层，然后生长外延，外延生长完成后做一次全局表面氧化，长出较厚的氧化层，然后在 ...

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