BCD工艺的版图和普通的模拟版图差别大吗

xd.liu · 发表于 2024-2-29 09:55:39

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99259 · 发表于 2024-2-29 09:57:47

据了解是对走线没有太高要求，面积要求也不高，没有做过，等大佬们发言

中单一打九 · 发表于 2024-2-29 10:05:23

顶一下，等大佬来科普

ClarenceCN · 发表于 2024-2-29 10:23:57

BCD工艺的版图面积比模拟版图大，层次比模拟版图多，走线空间比模拟版图大，电压比模拟版图大，有40、50v这么高，普通模拟版图一般1.8v、3.3v这样的。

tea_whz · 发表于 2024-2-29 10:26:41

BCD只是工艺类型而已，标准CMOS工艺的芯片都可以转到同样工艺节点的BCD工艺去做而且不用修改版图，只是价格会有上浮。影响版图差别的更多是芯片类型，比如电源和信号链，在版图上的差别就会比较大

xd.liu · 发表于 2024-2-29 10:39:27

tea_whz 发表于 2024-2-29 10:26
BCD只是工艺类型而已，标准CMOS工艺的芯片都可以转到同样工艺节点的BCD工艺去做而且不用修改版图，只是价格 ...

感谢回答

이지은 · 发表于 2024-2-29 11:32:46

不大，主要就是高压器件层次会比普通mos多，和普通工艺一样注意隔离那些的，大差不差，尤其注意破面图

xd.liu · 发表于 2024-2-29 13:37:29

이지은 发表于 2024-2-29 11:32
不大，主要就是高压器件层次会比普通mos多，和普通工艺一样注意隔离那些的，大差不差，尤其注意破面图 ...

好勒，感谢回复

李幕白 · 发表于 2024-3-1 14:08:29

高压器件的端口数不同。常规CMOS器件的端口以4个（D/S/G/B）居多（最常用的），BCD的高压管的端口数一般是7-8个。（D/S/G/B/DNW/SUB/ISO）

[讨论] BCD工艺的版图和普通的模拟版图差别大吗