NPN ESD It2异常降低

gan_punk · 发表于 2024-2-21 18:31:34

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如下图，在设计NPN ESD器件的时候，通过拉NW-PW space (d1)去获得不同的BV，d1在0.1um~0.5um之间时BV和It2 (>5A) 都是合理结果。但是当d1过大后BV还是随d1正常增大，It2却突然降低（<2A). 目前我还没找到合理的解释方法，希望有大佬可以解惑，不胜感谢！
注：下图从NW到NW为一个重复cell, 属于multi-finger, 不是NW surrounding结构

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andyfan · 发表于 2024-2-22 07:21:32

测测是不是有其他漏电途径了，BV增大到和衬底外面的PSUB也通了。

gan_punk · 发表于 2024-2-22 14:11:33

andyfan 发表于 2024-2-22 07:21
测测是不是有其他漏电途径了，BV增大到和衬底外面的PSUB也通了。

这个倒没有，HNW到DPW之间拉了足够的space，到PSUB的BV足够高的，没有PSUB漏电

fei_SH · 发表于 2024-2-23 09:04:01

把对应的TLP曲线放出来看看，单凭描述我猜测一个可能是均匀性变差，一个可能是BV太高后NPN的β突变，其他的layout 要跟着做优化。均匀性的可能性比较大。

gan_punk · 发表于 2024-2-23 11:35:43

fei_SH 发表于 2024-2-23 09:04
把对应的TLP曲线放出来看看，单凭描述我猜测一个可能是均匀性变差，一个可能是BV太高后NPN的β突变，其他 ...

谢谢回复，TLP曲线如下

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gan_punk · 发表于 2024-2-23 11:36:42

fei_SH 发表于 2024-2-23 09:04
把对应的TLP曲线放出来看看，单凭描述我猜测一个可能是均匀性变差，一个可能是BV太高后NPN的β突变，其他 ...

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