NPN ESD It2异常降低

IC_Spark · 发表于 2024-2-21 18:31:34

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如下图，在设计NPN ESD器件的时候，通过拉NW-PW space (d1)去获得不同的BV，d1在0.1um~0.5um之间时BV和It2 (>5A) 都是合理结果。但是当d1过大后BV还是随d1正常增大，It2却突然降低（<2A). 目前我还没找到合理的解释方法，希望有大佬可以解惑，不胜感谢！
注：下图从NW到NW为一个重复cell, 属于multi-finger, 不是NW surrounding结构

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andyfan · 发表于 2024-2-22 07:21:32

测测是不是有其他漏电途径了，BV增大到和衬底外面的PSUB也通了。

IC_Spark · 发表于 2024-2-22 14:11:33

andyfan 发表于 2024-2-22 07:21
测测是不是有其他漏电途径了，BV增大到和衬底外面的PSUB也通了。

这个倒没有，HNW到DPW之间拉了足够的space，到PSUB的BV足够高的，没有PSUB漏电

fei_SH · 发表于 2024-2-23 09:04:01

把对应的TLP曲线放出来看看，单凭描述我猜测一个可能是均匀性变差，一个可能是BV太高后NPN的β突变，其他的layout 要跟着做优化。均匀性的可能性比较大。

IC_Spark · 发表于 2024-2-23 11:35:43

fei_SH 发表于 2024-2-23 09:04
把对应的TLP曲线放出来看看，单凭描述我猜测一个可能是均匀性变差，一个可能是BV太高后NPN的β突变，其他 ...

谢谢回复，TLP曲线如下

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IC_Spark · 发表于 2024-2-23 11:36:42

fei_SH 发表于 2024-2-23 09:04
把对应的TLP曲线放出来看看，单凭描述我猜测一个可能是均匀性变差，一个可能是BV太高后NPN的β突变，其他 ...

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sunnyliu · 发表于 2024-10-4 20:19:28

盲猜一下，可能和工艺退火之类的有关吧。当d1小于某个值的时候，可以很明显的确认BV是PW和横向的HV的BV，但是当d1足够大后可能PW和HNW的BV就变成了主导。这时候电阻应该显著增大了，导致It2也就降低了。不知道这时候是不是d1越大，It2越小。如果是的话，那基本就是这个原因了

Xin421157560 · 发表于 2024-10-10 17:22:51

leakage明显增大后保持稳定，最后彻底失效的It2与你之前的相差不大，怀疑是某个到sub的结击穿了，可以看一下leakage刚开始显著增大时候的瞬态端电位判断一下是不是结击穿了

qwertyu6140 · 发表于 2024-10-14 14:58:52

有需要TLP,CDM,HBM设备的圈子里的朋友可以联系哦，我们公司销售HANWA的ESD设备，微信号 ATMAN-CHEN ，谢谢

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