LDMOS 结构疑问

不吃细糠的山猪 · 发表于 2024-2-20 15:39:38

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求助大佬，如图，这里LDMOS的SAB以及trench CT结构的作用是什么，对器件有什么影响？

屏幕截图 2024-02-20 153824.png

Quinn714 · 发表于 2024-2-21 10:46:03

sab阻止生成硅化物生成，提高器件可靠性；trench ct结构可能是减小导通电阻，如有不对，欢迎指教

iamshan · 发表于 2024-2-22 09:03:38

SAB的作用是让下面的NDRF区域不生成silicide，不然silicde生成的话NDRF就没有作用了；Trench CT是指SAB上面的吗？如果是的，我猜想是起了场版的作用。不过这个LDMOS很奇怪，跟传统的LDMOS结构不一样，更类似LDMOS和DDDMOS各取一部分的结构；

cd1992 · 发表于 2024-2-22 10:46:27

场板作用，可以提高耐压

fj0510 · 发表于 2024-2-22 11:19:38

场板，增强漂移区的耗尽，提高器件耐压

gcwen · 发表于 2024-3-8 18:00:52

图中的SAB是一层金属，用作场板，提高耐压！

6619179 · 发表于 2024-3-11 11:33:03

SAB和PBODY短接，低电位，在反偏的时候当场板。一般场板需要额外mask，或者嵌入式场板STI会影响导通Ron。这个设计比较巧妙，不需什么成本。

lnxmj · 发表于 2024-7-2 22:15:37

感谢分享

不吃细糠的山猪 · 发表于 2024-8-7 17:07:56

fj0510 发表于 2024-2-22 11:19
场板，增强漂移区的耗尽，提高器件耐压

感谢回复。可以讲讲具体怎么增强漂移区耗尽的吗？小白没搞明白，谢谢

Peter_Gym · 发表于 2024-8-9 18:39:55

CFP工艺？

[求助] LDMOS 结构疑问