请教gm-C片上集成中频滤波器的自稳定或自整定技术

wild-mountain · 发表于 2024-2-11 19:21:47

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单片集成接收机设计离不开片上滤波器的设计。从学习的角度，完成了一个四阶切比雪夫gm-C滤波器的设计，通过预畸法在典型工艺角条件下，仿真结果基本达到了预期。但是，ss 和 ff 工艺角下的仿真表明：滤波器的中心频率和通带性能变化太大了。如图所示：

因为是初学，所以只是设计了一种基本的OTA放大器，然后基于该放大器，施加理想偏置，加上理想电容实现了切比雪夫滤波器的仿真。OTA放大器原理图和版图如下所示：
Screenshot-Untitled Window-1.png

现在才发现设计真正能用的Gm-C滤波器，可行性尚不可知。这里希望得到有经验的朋友的指点：
1.实际工作中，单片集成接收机上的中频滤波器设计（数学滤波是另一个范畴，先不考虑）可以用Gm-C滤波器实现的吗？
2.有什么常用的自整定或自稳定的技术，能够较好的解决工艺偏差、寄生参数和温漂的影响？
谢谢！

lynker · 发表于 2024-2-12 09:04:44

十来年前做过这种结构，中心频点和带内平坦度都不理想，后来就一直做源RC

补充内容 (2024-2-18 14:40):
有源RC

wild-mountain · 发表于 2024-2-13 09:39:25

@lynker, 谢谢！

wild-mountain · 发表于 2024-2-13 09:48:00

@lynker，请问：有源RC性能随工艺变化情况大概是怎样的？

mybaozhao · 发表于 2024-2-13 10:11:16

lynker 发表于 2024-2-12 09:04
十来年前做过这种结构，中心频点和带内平坦度都不理想，后来就一直做源RC ...

大侠还活跃呢，跟你学习

lynker · 发表于 2024-2-14 19:57:50

wild-mountain 发表于 2024-2-13 09:48
@lynker，请问：有源RC性能随工艺变化情况大概是怎样的？

留有trim位，用于覆盖工艺角的影响。10M以下中频，版图画好的话，寄生参数对中心频率大概会有2%的影响。

lynker · 发表于 2024-2-14 20:00:38

mybaozhao 发表于 2024-2-13 10:11
大侠还活跃呢，跟你学习

互相学习

wild-mountain · 发表于 2024-2-16 09:04:05

lynker 发表于 2024-2-14 19:57
留有trim位，用于覆盖工艺角的影响。10M以下中频，版图画好的话，寄生参数对中心频率大概会有2%的影响。 ...

非常感谢！

[讨论] 请教gm-C片上集成中频滤波器的自稳定或自整定技术