在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

便捷登录,只需一步

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 396|回复: 7

[讨论] 请教gm-C片上集成中频滤波器的自稳定或自整定技术

[复制链接]
发表于 2024-2-11 19:21:47 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
    单片集成接收机设计离不开片上滤波器的设计。从学习的角度,完成了一个四阶切比雪夫gm-C滤波器的设计,通过预畸法在典型工艺角条件下,仿真结果基本达到了预期。但是,ss 和 ff 工艺角下的仿真表明:滤波器的中心频率和通带性能变化太大了。如图所示:

Screenshot-3.png

因为是初学,所以只是设计了一种基本的OTA放大器,然后基于该放大器,施加理想偏置,加上理想电容实现了切比雪夫滤波器的仿真。OTA放大器原理图和版图如下所示:
Screenshot-Untitled Window-1.png

Screenshot-Untitled Window-2.png    
   
   现在才发现设计真正能用的Gm-C滤波器,可行性尚不可知。这里希望得到有经验的朋友的指点:
1.实际工作中,单片集成接收机上的中频滤波器设计(数学滤波是另一个范畴,先不考虑)可以用Gm-C滤波器实现的吗?
2.有什么常用的自整定或自稳定的技术,能够较好的解决工艺偏差、寄生参数和温漂的影响?
谢谢!

发表于 2024-2-12 09:04:44 | 显示全部楼层
十来年前做过这种结构,中心频点和带内平坦度都不理想,后来就一直做源RC

补充内容 (2024-2-18 14:40):
有源RC
 楼主| 发表于 2024-2-13 09:39:25 | 显示全部楼层
@lynker, 谢谢!
 楼主| 发表于 2024-2-13 09:48:00 | 显示全部楼层
@lynker, 请问:有源RC性能随工艺变化情况大概是怎样的?
发表于 2024-2-13 10:11:16 | 显示全部楼层


lynker 发表于 2024-2-12 09:04
十来年前做过这种结构,中心频点和带内平坦度都不理想,后来就一直做源RC ...


大侠还活跃呢,跟你学习
发表于 2024-2-14 19:57:50 | 显示全部楼层


wild-mountain 发表于 2024-2-13 09:48
@lynker, 请问:有源RC性能随工艺变化情况大概是怎样的?


留有trim位,用于覆盖工艺角的影响。10M以下中频,版图画好的话,寄生参数对中心频率大概会有2%的影响。
发表于 2024-2-14 20:00:38 | 显示全部楼层


mybaozhao 发表于 2024-2-13 10:11
大侠还活跃呢,跟你学习


互相学习
 楼主| 发表于 2024-2-16 09:04:05 | 显示全部楼层


lynker 发表于 2024-2-14 19:57
留有trim位,用于覆盖工艺角的影响。10M以下中频,版图画好的话,寄生参数对中心频率大概会有2%的影响。 ...


非常感谢!
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-3-1 06:41 , Processed in 0.025135 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表