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[求助] finfet工艺下INV从PNMOS两边接出去情况下,需要在PNMOS中间切断GT吗

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发表于 2024-2-7 10:53:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

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INV两边接法.png

左边的是PNMOS中间未切断GT,显得GT过长,右边是中间切断了GT,大佬们觉得哪种效果好点?
发表于 2024-2-7 11:01:00 | 显示全部楼层
需要,但实际版图看到的是连线的,我记得有一层layer盖在上面是cut掉GT的,你可以查查这层layer。
发表于 2024-2-7 11:22:10 | 显示全部楼层
不用cut
发表于 2024-2-7 13:57:33 | 显示全部楼层
过长会有DRC,需要CPO
发表于 2024-2-18 18:08:45 | 显示全部楼层
用cpo cut   
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