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问个低功耗设计问题 帮朋友问, 已经改用 finfet . 因高速要求 没法用 HVT cell . 目前省电时 能关都关, 但leakage 还是很大, 另外dynamic power 大. gate switching 都耗电高. Low powerSDT cell 跟标准SDT cell 不同 . 除异部设计设计外 , 还有其他思路吗? 另外抓dynamic power 是否用 fastspice 会不会更精准 ? 1 voltus 2 redhawk
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发表于 2024-2-2 14:05:19
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