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[求助] 刚起步学习IC设计的疑惑和求助,关于运放设计的顺序流程

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发表于 2024-1-24 18:37:36 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位论坛的朋友大家好,我是最近刚接触IC设计的学生,此前有一定的模拟电路和数字电路基础,浅学习过拉扎维的大本,但仅限于会看着书做一些题

还未入学,未来的老师要求从一个基础的全差分运放开始做起,在学习过程中产生以下疑问一直没办法解决

1. 不知道基准源怎么设计: 通过参考一些毕业论文以及论坛上的资料,确实能初步仿真出1.21v输出的基准源,或者是共源共栅的电流源,但是书中提到的很多对原始基准源的改进方案中都使用到了一个(甚至多个)放大器,却并没有提及此放大器的来源,我如果尝试去设计一个新的小运放,那这个小运放也至少需要一个基准提供尾电流,这个基准又是从哪里来的呢?还是说这个基准直接通过最原始的 六管+一电阻 的结构产生即可?

2. 不知道运放正常的设计流程: 学习了gm/id的设计思路,查表就很快做出一个五管OTA,然而同上面的问题,我至少需要一个尾电流的基准?咨询学长时,也就直接告诉我,先拿理想电流源+最普通的电流镜做仿真就行,最后流片前几个月的时候再弄,甚至偷懒的话直接用仪器从外部灌入一个基准电流……?这是一种正常的操作吗?

3. 不清楚晶体管参数的选择: 虽然可以通过gm/id的方法勉强仿真出老师提供的一些基础指标,但是gm/id的数值,晶体管的栅长度,晶体管的 self gain ,这些数据,选取都很武断,没有一个很系统的指导方案或者选择思路,大部分文章也都只提到:可以把gm/id定在12,如果要求更多低功耗那就高一些去定在16,诸如此类,然而12或者16这个值又是怎么来的?纯粹的经验值吗?

4. 不清楚二级运放设计参数的选择原则: 在2级运放的设计文章中,一些设计会把前后两级的偏置电流大小,以及gm/id的数值设置成完全一致,而另外一些则会给第二级分配超过第一级5倍甚至10倍的电流,各个晶体管的gm/id数值也都各有区别,然而也很少解释原因,几乎一笔带过。或者是对第二级的结构选择,会有选择共源放大或者源跟随,那么共源放大如何确保前一级OTA的DC输出值能够匹配上后一级设计时候选择的过驱动电压呢?难道不会因为工艺漂移或者非理想情况,导致第二级共源放大的过驱动电压偏离设计值,甚至导致进入线性区吗?

以上,大概率都是一些非常基础且可能比较蠢的疑问,但学长那边也在忙毕业,导师是让我多看书也不提别的,自觉可能无法短时间靠自行查找资料获得答案,不得已赶紧注册了账号发帖提问,还望坛友宽容谅解。
发表于 2024-1-24 18:55:30 | 显示全部楼层
总结:看书不够,把sansen通读一遍基本答案都有了;项目经验不够,多看看之前做过的项目设计报告
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发表于 2024-1-24 19:12:49 | 显示全部楼层
gmid实用吗,公司里貌似没人用这种方法,这种方法挺麻烦
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发表于 2024-1-25 11:26:50 | 显示全部楼层


   
vannylee 发表于 2024-1-24 19:12
gmid实用吗,公司里貌似没人用这种方法,这种方法挺麻烦


理论上这样做出来的电路效率高,然而很麻烦不太实用
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发表于 2024-1-25 14:32:50 | 显示全部楼层


   
vannylee 发表于 2024-1-24 19:12
gmid实用吗,公司里貌似没人用这种方法,这种方法挺麻烦


公司里同样没见过一个用的。
这个方法论是一个不错的思路,可以去了解,但归根结底并不是根本性或革命性的,否则每本教科书都要提了。

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发表于 2024-1-25 15:11:11 | 显示全部楼层
简单做一下回答,大佬勿喷。1.尾电流的产生方法有很多,电阻+diode,deltaVGS,在某些低功耗场景甚至尾电流管用一个大电阻替代也可以。
2.gm/id的方法是寻求功耗与速度的最优折中,它的值与工艺相关性较大。你要速度gm/id就小一点,你要低功耗就大一点。
3.第二级gm大的原因是你补偿好做,具体原因去翻翻拉扎维,单端运放一般闭环用,你输出点的DC值跟输入相同,不会出现你说的那种因为工艺漂移进入线性区的问题,你要是开环用那就是比较器了,第二级肯定进入线性区。差分运放要用共模反馈。
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