不同公司的180nm工艺差距很大吗

cadence111 · 发表于 2024-1-15 15:36:41

在复现一篇ldo 的文献，他是一家新加坡的公司的180nm工艺，我是用的smic的工艺，为什么仿真完全不通啊

cadence111 · 发表于 2024-1-15 15:37:35

文章给出了管子参数的

waley · 发表于 2024-1-15 16:05:04

logic 0.18um process差異不大, BCD process我就不清楚了
你只要針對兩個製程的管子做基本I-V curve的比較, 就可清楚差異大小了
FYI

xdy609841687 · 发表于 2024-1-15 16:26:03

差距很小，你说仿真不通，那要么是两个工艺阈值电压不同导致环路开不了，要么就是你电路bench搭的有问题，我用上华和东部这两阈值电压差3-400mv的工艺一样能复制过去用

深圳华芯 · 发表于 2024-1-15 16:45:45

我这边专门提供SMIC量产服务的，感兴趣可以跟我沟通。Wechat（hleove）phone（14775180119）

中单一打九 · 发表于 2024-1-15 17:35:42

我觉得挺大的，耐压和噪声会差很多，TSMC最优

中单一打九 · 发表于 2024-1-15 17:37:06

我觉得差距挺大的，噪声和耐压差的比较多，TSMC最好

Shiroihane · 发表于 2024-1-16 10:02:39

差距挺大的，你用过UMC就知道

cadence111 · 发表于 2024-1-16 12:35:57

Shiroihane 发表于 2024-1-16 10:02
差距挺大的，你用过UMC就知道

UMC和smic tsmc差距很大吗

fcm5658779 · 发表于 2024-1-16 15:24:09

CMOS的话差距不是很大。sige会大一些。不通的话你看看Vth是不是差别比较大，另外就是启动电路可能有简并点。你看看是不是没启动。比如论文里面不存在简并点，你这边因为管子参数差一些，多了一些极限情况下的简并点也未可知。

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