请教一下各位大佬 crtmom 电容DRC报错问题？

知芯 · 发表于 2024-1-2 16:31:36

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本帖最后由知芯于 2024-1-2 16:34 编辑

t40工艺，这个crtmom电容我从器件库中调出来跑DRC就出现了图一的问题，通过查阅报错描述大概意思是阱点位的错吗？

目前我处理的过程是：在不打散器件的情况下在M1金属区域补上一层OD，但是出现的问题就是就是图二错误

然后对器件打散后（不太理解SR_DPO.S.19 ）
如果PO包裹住OD-M1-CO那就是出现图三的错；
如果PO不包裹住OD-M1-CO那就是出现图四的错

Promise_cc · 发表于 2024-1-2 17:58:38

在Device外面画TAP，哪有直接借用Device里面的Metal的。你这画法，也是第一次见到

知芯 · 发表于 2024-1-3 09:32:24

Promise_cc 发表于 2024-1-2 17:58
在Device外面画TAP，哪有直接借用Device里面的Metal的。你这画法，也是第一次见到 ...

好的谢谢！具体情况我也不太明白，在这种电容库里，我看了一下只要涉及了PO_dummy1层就会出现这个阱点位的错，通过打散去除PO_dummy1就不报错，但器件就不能识别了。

知芯 · 发表于 2024-1-3 17:14:32

顶一下

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