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[求助] 请教一下,eFlash里面的Row Redundancy应该怎么用?

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发表于 2023-12-25 15:22:38 | 显示全部楼层 |阅读模式

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现在能看到eFlash的Datasheet里面提供了2 个redundancy sectors,里面只提供了读写的操作,是不是需要我们自己在eflash controller里面加上替换到冗余阵列的逻辑?比如每次要对比每次访问的地址,如果是有坏块的地址,那么自动映射到redundancy sectors里面的对应地址?
发表于 2023-12-25 17:41:48 | 显示全部楼层
看!文!档!
我记得memory的文档里面是由详细的介绍memory redundancy是怎么用的
 楼主| 发表于 2024-1-2 14:45:26 | 显示全部楼层


Hillusionary 发表于 2023-12-25 17:41
看!文!档!
我记得memory的文档里面是由详细的介绍memory redundancy是怎么用的 ...



你好,我仔细阅读了一遍这个eFlash的datasheet以后,发现里面提到Row Redundancy内容很少,也没有详细描述这里的功能,想请教一下我下面的理解对不对。
这个datasheet里面有描述Row Redundancy这个功能,但是没有说明对于坏块的替换是eFlash内部自己实现还是外部的eFlash controller来做,如下是datasheet的部分截图,

                               
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它里面有提供redundancy information的存储空间,所以我推测是在eFlash测试的时候会记录下两个坏块较多的sector地址,然后让我们外部的eFlash coontroller来判定访问的是不是坏块sector,如果是的话,自动映射到冗余阵列,我这个理解对吗? 还是说他只是在这里存储了redundancy information,eFlash会自动的访问坏块sector时,映射到Redundancy array上去。

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