请教一下，eFlash里面的Row Redundancy应该怎么用？

临界 · 发表于 2023-12-25 15:22:38

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现在能看到eFlash的Datasheet里面提供了2 个redundancy sectors，里面只提供了读写的操作，是不是需要我们自己在eflash controller里面加上替换到冗余阵列的逻辑？比如每次要对比每次访问的地址，如果是有坏块的地址，那么自动映射到redundancy sectors里面的对应地址？

Hillusionary · 发表于 2023-12-25 17:41:48

看！文！档！
我记得memory的文档里面是由详细的介绍memory redundancy是怎么用的

临界 · 发表于 2024-1-2 14:45:26

Hillusionary 发表于 2023-12-25 17:41
看！文！档！
我记得memory的文档里面是由详细的介绍memory redundancy是怎么用的 ...

你好，我仔细阅读了一遍这个eFlash的datasheet以后，发现里面提到Row Redundancy内容很少，也没有详细描述这里的功能，想请教一下我下面的理解对不对。
这个datasheet里面有描述Row Redundancy这个功能，但是没有说明对于坏块的替换是eFlash内部自己实现还是外部的eFlash controller来做，如下是datasheet的部分截图，

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它里面有提供redundancy information的存储空间，所以我推测是在eFlash测试的时候会记录下两个坏块较多的sector地址，然后让我们外部的eFlash coontroller来判定访问的是不是坏块sector，如果是的话，自动映射到冗余阵列，我这个理解对吗？还是说他只是在这里存储了redundancy information，eFlash会自动的访问坏块sector时，映射到Redundancy array上去。

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