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[求助] 电流饥饿型VCO的振荡信号幅值的一些问题,求助!!!

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发表于 2023-12-21 16:35:12 | 显示全部楼层 |阅读模式
20资产
目前在做电流饥饿型VCO的仿真,结构如下:

VCO的结构: 屏幕截图 2023-12-21 163009.png    反相器的结构: 屏幕截图 2023-12-21 162944.png
问题:对于delaycell(反相器)来说,由于PM0、NM1的存在无法使振荡信号的幅值从0~VDD,我不明白PM0、NM1是如何影响幅值的呢?之前猜测是与这两个管子的vdsat有关,但是在调的过程中发现vdsat在200mV左右时,振荡信号的峰值只有820mV,相较于1.2V的VDD来说下降了特别多,应该也和构成反相器的PM1、NM0也有关,流过的电流大小应该也有关系,我不知道如何分析。有没有大佬可以系统的讲一下这个结构的振荡信号幅值与什么有关呢?或者给出相关资料看看呢?



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1)4楼已经把原理说清楚了,至于你说的振荡器输出幅值不是0~VDD,可以在输出OUT外直接加一到两级普通反相器,这样就能拉到VDD与GND了。 2)而且按道理应该是能够拉到VDD或者GND的,简单理一下瞬态过程,每级反相器的输出在建立时都是受到高电平或低电平控制,这时候应该是在充电或者放电,时间足够的话,应该是能实现VDD~GND 3)可能是振荡频率太高了(MOS管面积太小使得寄生电容不够),导致各级栅端建立时间不够? ...
发表于 2023-12-21 16:35:13 | 显示全部楼层
1)4楼已经把原理说清楚了,至于你说的振荡器输出幅值不是0~VDD,可以在输出OUT外直接加一到两级普通反相器,这样就能拉到VDD与GND了。
2)而且按道理应该是能够拉到VDD或者GND的,简单理一下瞬态过程,每级反相器的输出在建立时都是受到高电平或低电平控制,这时候应该是在充电或者放电,时间足够的话,应该是能实现VDD~GND
3)可能是振荡频率太高了(MOS管面积太小使得寄生电容不够),导致各级栅端建立时间不够?
发表于 2023-12-21 17:53:26 | 显示全部楼层
蹲系统性资料
 楼主| 发表于 2023-12-21 21:38:01 | 显示全部楼层
自顶!!!顶顶顶
发表于 2023-12-22 06:54:29 | 显示全部楼层
you are supposed to use the top bottom devices to limited the current to the core (i.e. current starving), use I*T=C*V to understand this: given the similar V target, and C is relatively constant (on average), then larger I makes T smaller (delay smaller).....
发表于 2023-12-22 14:49:34 | 显示全部楼层
这个结构。。。看pm0和nm1在上一级接的是什么,我猜的没错的话应该是分别接一个电流镜的bias,就是在反相器工作的时候,固定流过一个电流,以此来控制时钟的delay。
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