DDR3协议解读-状态机

wtr_allegro15

1 图中主要描述DDR读写过程中可能存在的转换状态及控制状态转换的命令​。包含多个bank、片上端接的使能、一些其他特殊时间是不包含在下图的状态转换图中的​。

                               
登录/注册后可看大图

几种常用的模式：

·刷新模式:储体中电容的数据有效是有时间限制的，所以为了保证数据的不丢失，所以要对ddr进行定时的刷新，SDRAM内部有一个行地址生成器（也称刷新计数器）用来自动的依次生成行地址。由于刷新是针对一行中的所有存储体进行。该模式是由Host主动控制DRAM完成刷新，存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms（毫秒，1/1000秒），也就是说每一行刷新的循环周期是64ms。

·自我刷新模式：当系统进入低功耗模式，只需要发送一条信息 SRF指令，主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存，比较常见的应用是STR（Suspend to RAM，休眠挂起于内存）。就进入了该模式，此时不再依靠系统时钟工作，而是根据内部的时钟进行刷新操作。期间除了CKE之外的所有外部信号都是无效的（无需外部提供刷新指令），只有重新使CKE有效才能退出自刷新模式并进入正常操作状态

·MRS模式(mode register set):模式寄存器中的数据控制者 DDR SDRAM的操作模式.它控制着 CAS 延迟, 突发长度, 突发顺序, 测试模式, DLL复位, WR等各种选项，支持着 DDR SDRAM 的各种应用. 模式寄存器的默认值没有被定义, 所以上电之后必须按规定的时序规范来设定模式寄存器的值。

·EMRS 扩展模式寄存器:存储着激活或禁止DLL的控制信息, 输出驱动强度, ODT 值得选择 和附加延迟等信息

·预充电：对一行读写操作后，关闭现有工作行，准备打开新行的操作就是预充电。

·读过程：访问操作开始ACT一个激活命令，主要是激活bank和row，选中特定bank及该bank中的行，接着发送一个read指令，并选中行中的某一列或者几列，通过数据总线将数据送出去了，然后就进行预充电，恢复到读写的状态，预充电完成后，就恢复到idle状态。

·写过程：与读过程基本类似。

sutaotao2001

Thanks