latch up 过程中无大电流出现，IV曲线对比电源 地 fail

fei_SH

有做功能验证吗 ？功能是否正常？

ksj116

负电流，看IO 钳位电压。然后根据IO的 I/V 来搭建激励，仿真看看有没有vgs 超压。应该就是弱损伤，基本都是gate原因

追涨杀跌

ksj116 发表于 2024-12-26 11:14
负电流，看IO 钳位电压。然后根据IO的 I/V 来搭建激励，仿真看看有没有vgs 超压。应该就是弱损伤，基本都是 ...

我这是双极型工艺，IO管脚拉个20mA的电流芯片就出现漏电流了，50mA芯片直接就坏掉了，电源到地的电流掉下来就不变了

木头人111

电源对地的电流变大的话直接三方实验室做个INGAAS 热点，定位一下损伤点，然后根据损伤点和LU 挂掉的测试条件应该可以比较容易的分析出失效机理

521lkh

开盖之后是不是做下EFA定位

喻言的宝贝

木头人111 发表于 2025-1-7 10:17
电源对地的电流变大的话直接三方实验室做个INGAAS 热点，定位一下损伤点，然后根据损伤点和LU 挂掉的测试条 ...

做了以后一排nmos电流镜都亮了，没有vgs超压，且iv shift和VCC有关，VCC越大，就越容易坏掉,版图上I/O距离内部电路差不多40um，电源电压36V。这个该怎么分析呢

木头人111

喻言的宝贝 发表于 2025-1-8 17:41
做了以后一排nmos电流镜都亮了，没有vgs超压，且iv shift和VCC有关，VCC越大，就越容易坏掉,版图上I/O距 ...

INGAAS 不是亮的地方就一定是坏的，需要和一颗良品在同等条件下对比，找出差异的亮点，然后对差异亮点的前后级电路分析，如果你Vcc 上电达到芯片最小工作电压，我的理解电流镜的mos 亮本来就是正常的吧；你说的VCC 电压越大越容易坏是指LU 测试过程中的VCC 电压吗，如果是的话那这也很正常，典型的LU 失效就是电压越大，温度越高越容易触发latch。