请教关于Dickson电荷泵的问题

李畅

       小弟现在做一个Dickson型电荷泵，采用片外电容（1uF），实现最高4倍率约24V左右的输出电压。由于是片外电容那么现在有两种类型的Dickson电路可选：1就是使用SBD二极管，2就是采用片内的二极管型MOS开关。

       首先：如果使用外面的SBD二极管，那么使用个数是有限的，SBD的导通阻抗我测了也就200欧，由于二极管阻抗确定了，这也导致我在半个时钟周期充电时的时间常数就确定了，带来的问题就是如果时钟频率稍微高一点，那么CP的效率就比较差，升压很慢。
       其次：如果用MOS开关做二极管的结构的话，我可以通过调整开关的尺寸来控制MOS二极管的导通阻抗，这当然便于我优化CP的充电速度等。当然带来的问题是MOS二极管的尺寸肯定会非常大。
同时还有一个很重要的问题就是Dickson型电荷泵的功耗问题，因为每半个周期二极管都处于正向导通，另外半个周期二极管反向截止，不论是使用片外电容还是使用片内MOS型二极管都会产生很大的正向导通电流，这个电流会持续半个工作周期。这个大电流主要在升压过程中，当然输出电压稳定以后，所有diode都反向截止了，这时电流就很小了。这里想请教一下，这种情况有没有好的解决办法能够降低这个由于diode正向导通产生的电流