最近遇到gate端加dummy的版图，请大家探讨一下。

芯片小兵 · 发表于 2023-11-14 15:57:34

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希望大家一起讨论一下，gate端加dummy 的作用。中间是匹配的管子，栅极的端口，加了dummy，并且距离匹配的有效active比较远。请问这个dummy 的作用是什么？

vettle · 发表于 2023-11-14 17:43:09

器件周围环境尽量一样哇。做不到完全一样，就尽量一样总比没有好。

芯片小兵 · 发表于 2023-11-15 09:26:35

vettle 发表于 2023-11-14 17:43
器件周围环境尽量一样哇。做不到完全一样，就尽量一样总比没有好。

有道理，虽然不能完全匹配，确实有些作用。

liaohero · 发表于 2023-11-17 11:04:42

etch

芯片小兵 · 发表于 2023-11-19 14:13:42

liaohero 发表于 2023-11-17 11:04
etch

Is that distance still useful

tuohong · 发表于 2023-11-22 09:54:35

没啥用。
类似cascode结构一般是在匹配要求不高的情况下才会采用这种画法，主要是为了节省面积，两边加dummy有点画蛇添足了。
如果是为了更好的匹配，主体结构就不应该用这种画法。

pph_cq · 发表于 2023-11-22 17:38:09

我也认为在W方向加dummy没什么作用，W是由OD决定的，而不是poly.

yyl19981204 · 发表于 2023-11-23 17:20:16

阱边缘效应了解一下，充一下面积，让阱边缘远离沟道

芯片小兵 · 发表于 2023-11-24 09:46:04

yyl19981204 发表于 2023-11-23 17:20
阱边缘效应了解一下，充一下面积，让阱边缘远离沟道

这个wpe效应，和加不加Dummy mos管没什么多大关联把。完全可以把阱的距离拉开就可以了。

luwang · 发表于 2023-11-24 10:28:34

高精度也是需要加的，W方向不加，边缘器件的OD 的W值是比中间的会小一点，这里加似乎是为了OD一致性更高，L方向不加，是因为poly的影响是一致的，

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