关于折叠式共源共栅运放

赵壮小可爱

Shiroihane 发表于 2023-10-31 16:06
理论上FT至少是带宽要求的5到10倍，虽然勉强达到，但我觉得会很困难，尤其在你还需要高增益的情况下
...

确实，明白了，谢谢您

赵壮小可爱

zhanweisu33 发表于 2023-10-30 17:46
180nm要做4.5G不容易，对增益要求不高的话，使用高速放大器的一些架构

您好，我现在输入对管的跨导是25ms，然后我算了gm/（2picgs），截止频率是8G，我现在的gbw是1.07G，这是不是限制我带宽的原因呐，我想做到4.5G，可是我想要输入对管的ft是20多G的话，输入对管的gm/id就会非常小，到1.几左右，这样又不太可取，麻烦您了

赵壮小可爱

Shiroihane 发表于 2023-10-31 16:06
理论上FT至少是带宽要求的5到10倍，虽然勉强达到，但我觉得会很困难，尤其在你还需要高增益的情况下
...

您好，我现在输入对管的跨导是25ms，然后我算了gm/（2picgs），截止频率是8G，我现在的gbw是1.07G，这是不是限制我带宽的原因呐，我想做到4.5G，可是我想要输入对管的ft是20多G的话，输入对管的gm/id就会非常小，到1.几左右，这样又不太可取，麻烦您了

zhanweisu33

120dB的增益已经很高很高了，180nm工艺，用gain boost的折叠opamp可以做到，但一般单位增益带宽估计也就100M~300M的水平，你这个又要又要的指标很难办

赵壮小可爱

zhanweisu33 发表于 2023-11-3 13:18
120dB的增益已经很高很高了，180nm工艺，用gain boost的折叠opamp可以做到，但一般单位增益带宽估计也就100 ...

谢谢，是的，我现在就是采用gainboost的架构，第一级是折叠共源共栅，辅助运放是四管的伪差分对，第二级是五管差分，请问这样的全差分想要120dB，几G的GBW，180nm工艺是可以实现的么，我看了几个知网上的硕士论文，看他们是可以的，但我不知道是不是真的可以

Halsone

看看

dxwn

赵壮小可爱 发表于 2023-11-5 09:49
谢谢，是的，我现在就是采用gainboost的架构，第一级是折叠共源共栅，辅助运放是四管的伪差分对，第二级 ...

Hi 您好请问最后解决了吗