求问这NMOS两种接法各有什么优缺点

srjsty · 发表于 2023-9-24 17:52:30

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都是1.8V的NMOS，最高电压1.8V（没有耐压需求）。在一块比较敏感的电路，有的NMOS用了隔离型，NBL接芯片地，有的用的非隔离型（具体如图所示）。请问有什么差异吗？
或者具体一点说：
（1）两者对于来自衬底的串扰的敏感度一样吗
（2）两者漏端看到的寄生电容一样吗

李幕白 · 发表于 2023-9-25 09:19:58

隔离不隔离主要是要把衬底的电位给他隔离起来，不隔离是一般的NMOS管子的衬底接地，隔离的NMOS的衬底一般接其他电位。那么什么情况下的NMOS管子是接地不接地主要是看电路结构及电路设计，跟版图没有任何关系。二者的差异来源于上游。

No-one · 发表于 2023-9-25 10:59:48

隔离型的NMOS，相当于T工艺里的带DNW的器件吧。T工艺里的DNW，一般接电路的VDD，这样和衬底形成反偏PN结。其他电路的噪声无法通过衬底传导过来。就像是一个杯子，NMOS做在了杯子里，杯底和杯子壁形成了DNW的隔离环。

你给的图的左图，NBL应该接VDD吧，这样才能形成反偏PN结。NBL和DNW的原理一样。

528905500 · 发表于 2023-9-26 17:49:56

No-one 发表于 2023-9-25 10:59
隔离型的NMOS，相当于T工艺里的带DNW的器件吧。T工艺里的DNW，一般接电路的VDD，这样和衬底形成反偏PN结。 ...

这个大佬的说法很好理解，一眼懂

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