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[原创] ldo采用buffer的缺点

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发表于 2023-9-15 08:54:18 | 显示全部楼层 |阅读模式
悬赏50资产未解决
如图,这种LDO结构:source follower+OP+功率管,我有看到论坛里说“加source follower会让功率管栅端的电压少一个阈值电压”,请问这句话是什么意思?我没看懂,这不是让运放的输出多一个Vgs吗?求大佬解释解释

微信图片_20230915084823.png

 楼主| 发表于 2023-9-15 08:55:18 | 显示全部楼层
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发表于 2023-9-15 09:06:38 | 显示全部楼层
你可以仔细看看文档,是不是pmos的source follow。
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 楼主| 发表于 2023-9-15 09:21:17 | 显示全部楼层


   
canglaoshi01 发表于 2023-9-15 09:06
你可以仔细看看文档,是不是pmos的source follow。


你的意思是指那句话是相对于nmos的source follower而言的?那对于这种pmos的source follower就可以避免这个问题吗?
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发表于 2023-9-15 10:37:30 | 显示全部楼层
使功率管少了一个阈值电压的空间
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 楼主| 发表于 2023-9-15 10:41:26 | 显示全部楼层


   
YyuanRTs 发表于 2023-9-15 10:37
使功率管少了一个阈值电压的空间


为什么,pmos的source follower不是多了一个Vgs吗
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 楼主| 发表于 2023-9-15 10:42:28 | 显示全部楼层
没有人知道吗
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发表于 2023-9-15 10:51:18 | 显示全部楼层
source follower的好处输出阻抗小,功率管输入处的极点右移了很多。

点评

答非所问  发表于 2023-9-15 11:53
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发表于 2023-9-15 10:58:05 | 显示全部楼层
5楼正解。假如功率管gate最低能到0V,加了个source follower吃掉了一个vgs,于是功率管gate最低能到vgs。
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 楼主| 发表于 2023-9-15 11:56:58 | 显示全部楼层


   
acging 发表于 2023-9-15 10:58
5楼正解。假如功率管gate最低能到0V,加了个source follower吃掉了一个vgs,于是功率管gate最低能到vgs。 ...


但是如果功率管栅极最高可以到3V,加一个source follower的VGS,不就变成3+VGS,这不也增大了摆幅??
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