掩模版问题

qin1900 · 发表于 2023-9-8 10:39:16

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想问一下n-LDD注入和p-LDD注入用到的掩模版是一样的吗？还有n+注入和n-注入的时候用的掩模版是一样的吗？

PN_Allen · 发表于 2023-9-8 10:51:33

你这里的n-LDD和p-LDD是指NMOS/PMOS的LDD注入呢，还是LDD注入离子类型是n/p？
前者掩模版肯定不一样，后者有可能一样。
第二个问题同理，n+注入和n-注入具体指哪里？

qin1900 · 发表于 2023-9-8 11:21:42

本帖最后由 qin1900 于 2023-9-8 11:23 编辑

PN_Allen 发表于 2023-9-8 10:51
你这里的n-LDD和p-LDD是指NMOS/PMOS的LDD注入呢，还是LDD注入离子类型是n/p？
前者掩模版肯定不一样，后者 ...

离子类型，n-、n+是砷，p-是BF2，p+是硼。n-n+都是注入到源漏区

ChenFeng1000 · 发表于 2023-9-9 21:49:33

n-LDD注入和p-LDD注入用到的掩模版是不一样的，这里的N是指元素周期表中的第5族元素，P是第3族元素。
而n+注入和n-注入是在器件制作过程中所取的作用不同，一般n+注入是做N管的源漏区和电阻和npn的发射区，n-注入可能用来调整Vt。如果是n阱也可以是n-注入

ChenFeng1000 · 发表于 2023-9-10 17:03:20

补充：n-LDD主要作用在nmos管的active 区，即naa区，而p-LDD主要作用在paa区。这是两种不同种类的元素注入。
而第二个问题是同一种元素的不同剂量的注入，一般n+注入的剂量是E15级别，可以欧姆接触。而n-的剂量是E13或以下级别。所以，在n+区域注入n-影响不大，但反过来就出大问题，但一般n-区域中会有部分n+注入，主要用于欧姆接触。

PN_Allen · 发表于 2023-9-12 13:53:29

qin1900 发表于 2023-9-8 11:21
离子类型，n-、n+是砷，p-是BF2，p+是硼。n-n+都是注入到源漏区

所以n/p是指注入离子类型，+/-是指注入剂量。

NMOS的LDD注入一般会有多次离子注入，大部分注入n型离子，但是有一道会注入反型离子，即p型离子，叫做halo或者pocket implant。
这个时候n LDD和p LDD就使用的是同一张mask。

具体问题具体分析~

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