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[求助] 掩模版问题

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发表于 2023-9-8 10:39:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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想问一下n-LDD注入和p-LDD注入用到的掩模版是一样的吗?还有n+注入和n-注入的时候用的掩模版是一样的吗?
发表于 2023-9-8 10:51:33 | 显示全部楼层
你这里的n-LDD和p-LDD是指NMOS/PMOS的LDD注入呢,还是LDD注入离子类型是n/p?
前者掩模版肯定不一样,后者有可能一样。
第二个问题同理,n+注入和n-注入具体指哪里?
 楼主| 发表于 2023-9-8 11:21:42 | 显示全部楼层
本帖最后由 qin1900 于 2023-9-8 11:23 编辑


PN_Allen 发表于 2023-9-8 10:51
你这里的n-LDD和p-LDD是指NMOS/PMOS的LDD注入呢,还是LDD注入离子类型是n/p?
前者掩模版肯定不一样,后者 ...


离子类型,n-、n+是砷,p-是BF2,p+是硼。n-n+都是注入到源漏区

发表于 2023-9-9 21:49:33 | 显示全部楼层
n-LDD注入和p-LDD注入用到的掩模版是不一样的,这里的N是指元素周期表中的第5族元素,P是第3族元素。
而n+注入和n-注入是在器件制作过程中所取的作用不同,一般n+注入是做N管的源漏区和电阻和npn的发射区,n-注入可能用来调整Vt。如果是n阱也可以是n-注入
发表于 2023-9-10 17:03:20 | 显示全部楼层
补充:n-LDD主要作用在nmos管的active 区,即naa区,而p-LDD主要作用在paa区。这是两种不同种类的元素注入。
而第二个问题是同一种元素的不同剂量的注入,一般n+注入的剂量是E15级别,可以欧姆接触。而n-的剂量是E13或以下级别。所以,在n+区域注入n-影响不大,但反过来就出大问题,但一般n-区域中会有部分n+注入,主要用于欧姆接触。
发表于 2023-9-12 13:53:29 | 显示全部楼层


qin1900 发表于 2023-9-8 11:21
离子类型,n-、n+是砷,p-是BF2,p+是硼。n-n+都是注入到源漏区


所以n/p是指注入离子类型,+/-是指注入剂量。

NMOS的LDD注入一般会有多次离子注入,大部分注入n型离子,但是有一道会注入反型离子,即p型离子,叫做halo或者pocket implant。
这个时候n LDD和p LDD就使用的是同一张mask。

具体问题具体分析~
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