不理解电路为什么这么去做

onlyzjj · 发表于 2023-8-28 15:58:57

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是一种保护，但是不太理解机理。V ’ 是接一块的。

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woodhorse007 · 发表于 2023-9-5 19:39:46

增加V'点的电容，令其不易被高能粒子干扰到信号翻转。另外可以减少V'漏极的面积，减少V'区域被粒子命中的概率。

onlyzjj · 发表于 2023-9-6 14:44:43

woodhorse007 发表于 2023-9-5 19:39
增加V'点的电容，令其不易被高能粒子干扰到信号翻转。另外可以减少V'漏极的面积，减少V'区域被粒子命中的概 ...

很感谢，但是不能完全理解“高能粒子”的概念。有什么书籍或者文献有定义？

lenomon · 发表于 2023-9-6 14:56:14

这是属于抗辐照相关领域了吗

onlyzjj · 发表于 2023-9-6 15:39:30

lenomon 发表于 2023-9-6 14:56
这是属于抗辐照相关领域了吗

是一般MCU里面的电路，主要是不懂保护的case是什么样的

风也信子 · 发表于 2023-9-6 16:18:10

电源域切换时的cdm防护

onlyzjj · 发表于 2023-9-6 18:12:02

风也信子发表于 2023-9-6 16:18
电源域切换时的cdm防护

那本质上保护的是后级mos的gate，把CDM的高频能量，泄放到地。那么前后两种不同的地，都可以用来泄放能量吗？

风也信子 · 发表于 2023-9-6 18:32:45

onlyzjj 发表于 2023-9-6 18:12
那本质上保护的是后级mos的gate，把CDM的高频能量，泄放到地。那么前后两种不同的地，都可以用来泄放能量 ...

保护的是后级mos gate，所以接后级地

onlyzjj · 发表于 2023-9-6 19:38:30

风也信子发表于 2023-9-6 18:32
保护的是后级mos gate，所以接后级地

换句话说，CDM的瞬态过程中，电荷转移到后级的地，在这短暂的过程中，衬底的电位会有所变化，对保护gate有好处。

感谢大佬的解惑。

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