关于格芯（GF）22nmFDSOI工艺标准数字逻辑单元库中physical-only cell缺失的问题

IC_lkx · 发表于 2023-8-25 23:20:46

我所用的工艺是GF22nm FDSOI，它的标准数字单元是外包给新思（Synopsys）设计和分销的，在进行数字电路PR的过程中发现单元库中没有非ECO的FILLER，ECO的FILLER最小也只有5 track，无法填满所有空隙，同时单元库中也没有WELLTAP、ENDTAP、Boundary cell等physical-only的单元，在查看了标准单元版图后未发现阱的金属引出，应该是tapless的库，而且在它的说明文档中提到了有FILL、WELLTAP、boundary cell等单元，所以想请教各位大佬是否有用过该工艺，能否给出一些指导或建议？